实验报告
一、实验名称
静态随机储存器实验
二、实验目的
掌握静态随机储存器RAM的工作特性和数据的读写方法
三、实验设备
TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一套,导线若干。
四、实验原理
实验所用的半导体静态存储器电路原理如图1所示,实验中的静态存储器由一片6116(2K×8)构成,其数据线接至数据总线,地址线由地址锁存器(74LS273)给出。地址灯ADO~AD7与地址线相连,显示地址线内容。数据开关经三态门(74LS245)连至数据总线,分时给出地址和数据。
因地址寄存器为8位,接入6116的地址A7--AO,而高三位A8—A1O接地,所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线:CE(片选线)、0E(读线)、WE(写线)。当片选有效(CE=O)时,OE=O时进行读操作,WE=0时进行写操作。本实验中将0E常接地,因此6116的引脚信号WE=1时进行读操作, WE=0时进行写操作。
在此情况下,要对存储器进行读操作,必须设置控制端CE=O、WE=O,同时有T3脉冲到来,要对存储器进行写操作,必须设置控制端CE=O、WE=1,同时有T3脉冲到来,其读写时间与T3脉冲宽度一致。
实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中,其脉冲宽度可调,其它电平控制信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟,其中SW-B为低电平有效,LDAR为高电平有效。
图1 存储器实验原理图
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