谢胜飞 0909083018 中南08班

实验二 存储器——静态随机存储器实验

一 实验目的

掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法。

二 实验设备

PC 机一台，TD-CM3+实验系统一套。

三 实验原理

实验所用的静态存储器由一片 6116（2K×8bit）构成（位于MEM 单元），如图2-1-1 所示。 6116 有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如表2-1-1 所示，当片选

有效（CS=0）时，OE=0 时进行读操作，WE=0 时进行写操作，本实验将CS 常接地。

由于存储器（MEM）最终是要挂接到CPU 上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得CPU 能控制MEM 的读写，实验中的读写控制逻辑如图2-1-2 所示，由于T2 的参与，可以保证MEM 的写脉宽与T2 一致，T2 由时序单元的TS2 给出（时序单元的介绍见附录2）。IOM 用来选择是

对I/O 还是对MEM 进行读写操作，RD=1 时为读，WR=1 时为写。

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实验原理图如图 2-1-3 所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8 个LED 灯显 示D7…D0 的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8 个LED 灯显示A7…A0 的内容， 地址由地址锁存器（74LS273，位于PC&AR 单元）给出。数据开关（位于IN 单元）经一个三 态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8 位，接入6116 的地址A7…A0，6116 的高三位地址A10…A8 接地，所以其实际容量为256 字节。

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实验箱中所有单元的T1、T2 都连接至MC 单元的T1、T2，CLR 都连接至CON 单元的CLR 按钮。实验时T2 由时序单元给出，其余信号由CON 单元的二进制开关模拟给出，其中IOM 应 为低（即MEM 操作），RD、WR 高有效，MR 和MW 低有效，LDAR 高有效。

四 实验步骤

按照实验报告书操作

五 结论

① 做写内容操作前，需先做写地址操作，读写两种操作独立进行。

② 做写地址操作和写内容操作时都需要T3脉冲信号，做读内容操作时，写

入地址需要T3脉冲信号，后关闭写命令信号，即WE=0，打开片选信号，即CE=0，不再需要T3脉冲。

③ SW-B、CE为低电平有效，即SW-B=0，CE=0。LDAR，WE为高电平有效，

即LDAR=1，WE=1。

六．问题与讨论及实验总结

通过此次实验，较好地掌握了静态存储器的工作特性及使用方法，掌握

了半导体随机存储器如何存储和读出数据。从此次实验中得到的经验：实验接线时要细心。实验前应认真阅读实验方法与步骤，在重点操作地方做标记，以免在实验过程中缺少操作以致实验结果错误。在操作中了解总结操作的作用，便于在出现问题时，能在最短的时间内检查出是仪器问题，还是操作问题，能使实验过程更顺利。

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第二篇：实验二 静态随机存储器实验

山西大学计算机与信息技术学院

实验报告