直流测试

励磁电流是200mA

不等位电势(0+0.25)1=0.25mv

实验值

通过计算机计算的斜率k为6.7850。因为，所以=6.7850.

B===0.5113T

H===406879.60A/m

理论值

=393926.95A/m

E=3.28%

因为 所以载流子浓度2.35

 所以载流子迁移速率33.18

思考题

1、若磁场的法线不恰好与霍尔元件片的法线一致，对测量结果会有何影响？如何用实验的方法判断B与法线是否一致？

答：有影响，若磁场方向与霍尔元件有偏角，则只是测的是B；转动霍尔元件，当霍尔电压达到最大值时，B与霍尔元件法线一致。

2、若霍尔元件的几何尺寸为46mm,即控制电流两端距离为6mm，而电压两端距离为4mm,问此霍尔片能否测量截面积为55mm气隙的磁场？

答：不可以，因为尺寸为46mm的霍尔元件片不能覆盖住截面为55mm的气隙，这样会有漏磁效应。

3、能否用霍尔元件片测量交变磁场？

答：可以，霍尔电压效应的建立需要的时间很短（约在秒内）。

第二篇：实验18霍尔效应数据处理

实验18：霍耳效应及应用（参考内容）

一、实验目的：

1．了解霍耳效应实验原理

2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量实验试样（霍尔元件）的V_H—Is曲线、

V_H—I_M曲线。

3．确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。

 

二、实验器材（型号、规格、件数）

霍耳效应实验仪（HLD—HL--IV型）1台、

霍耳效应测试仪（HLD—HL--IV型）1台（可用2台恒流源，1台数字电压表替代）

专用测试线6根

[仪器简介]

 

                         仪器外观图

                     图二 实验仪电路连接图

三、实验原理

将一导电体（金属或半导体）薄片放在磁场中，并使薄片平面垂直于磁场方向。当薄片纵向端面有电流I流过时，在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面AA’间就会产生一电势差，这种现象称为霍耳效应（Hall effect），所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压，用V_H表示。

霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力f_洛作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷集累，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场E_H。

对实验所用试样（霍尔元件），在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向有霍耳电场E_H。

当试样中载流子所受的横向电场力eE_H与洛仑兹力evB相等时，样品两侧电荷积累达到平衡，因此有：        f_洛=F_{横向电场力}

 evB=eE_{H     (1)}

若霍尔元件几何参数如图已知，且n为载流子浓度，v为载流子在电流方

向上的平均漂移速度。有Is=nevbd   (2)

        由（1）（2）两式可得：V_H =E_Hb=IsB/ned

则V_H =R_H（IsB/d）  (3)

Is—X方向电流                         Y

                   I_M-----I_M励磁电流（B磁场Z方向）       

R_H=1/ne_----霍尔系数                                  X

                         V_H---霍尔电压                         Z

      由(3)式知：在外磁场不太强时，霍耳电压与工作电流和磁感应强度成正比，与薄片厚度成反比。V_H µ Is；V_H µ I_M（B）；V_H µ1/d

            

四．实验内容

1、 测绘试样（霍尔元件）V_H—Is曲线

2、测绘试样（霍尔元件）V_H—I_M曲线

3、确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。

五、实验记录与数据处理

1．实验准备：

1）记录励磁线圈相关参数:                                                  

2）测试仪开机前应将Is，I_M调节旋纽逆时针旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然

后开机。

3）  按图二所示电路连接图连接好实验电路。注意输出电流与输入电流的正负极性。

提醒：

     本实验的器件很容易损坏,有以下几点需要特别注意：

1）接好线路需要老师检查后方可通电，这主要是为了避免将测试仪的励磁电源“I_M  输出”

误接到实验仪的“Is  输入”或“V_H输出”处，否则一通电，霍尔器件即被破坏！

2）电路开、关、或功能切换时，一定要将Is、I_M旋钮逆时针旋转到底，也就是把它们的

输出调为零，这主要是为了避免电压或者电流的突变对仪器、件造成破坏。

3）霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，实验中严禁触摸探头。

4）关机前应再次将I_S、I_M调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于0后，方可切断电源。

2．实验记录与数据处理

1）测绘V_H—Is曲线

将实验仪的三组开关均向上，即在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，毫伏表电压为V_CD=V_H ，调节I_M=0.6A，保持其值不变，调节Is并记录相应的V_H数据，将V_H、Is数据，记于表1中。（表中箭头代表实验仪Is，I_M 双向开关向上或向下，V_H是绝对值取平均）  

  表1    I_M=0.6A                   Is：1.00—4.00mA

由表1数据（以电压为横轴，电流为纵轴）做实验曲线，即绘出图1（V_H—Is曲线）

Is（mA）               图1（V_H—Is曲线）

                                                    V_H(mV)

结论1：由图1可知                                              

2）测绘V_H—I_M曲线：

实验仪及测试仪各开关位置不变。

调节Is =3.00mA值不变，调节I_M，记录相应的V_H数据，将V_H、I_M数据记于表2中。

 表2：      Is =3.00mA    I_M：0.300—0.800A

由表2数据（以电压为横轴，电流为纵轴）做实验曲线，即绘出图2（V_H—I_M曲线）

I_{M (A)}                                 图2（V_H—I_M曲线）

                                                      V_H(mV)

结论2：由图2可知                                               

3）确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）

将实验仪的三组开关均向上，即在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，毫伏表电压为V_CD=V_H

取Is =2.00mA，I_M =0.55 A，测出V_H =         mV

按实验条件所测V_H     （<、>） 0，因此，试样（霍尔元件）的导电类型为        型半导体材料。

注：V_H >0---- P型半导体材料（空穴导电）。

                   V_H <0 ---- N型半导体材料（电子导电）。

实验结束：测量仪关机前应将Is，I_M调节旋纽逆时针旋到底，使其输出电流趋于最小状

态，然后关机。

思考并现场抽查回答问题：

1．  霍耳电压是怎样形成的？

2．  本实验中的磁场如何建立的？怎样改变大小？

3．  换向开关的作用原理是什么？测量霍耳电压时为什么要接换向开关？

4．  可否用交流电源给霍尔片供电？为什么？

5．  解释提醒中1、2损坏仪器的具体原因。

6．  实验操作中填写表1、2为何要纵向填写？

7．为何由V_H 的正负就可测定试样（霍尔元件）的导电类型是P型半导体材料还是N

   型半导体材料，试画出简图说明。

本实验报告要求：

1.     实验报告完整、整洁、数据及图线清晰、准确、规范。

2.     数据处理按有效值计算并保留到相应位数。

3.     图线必须标明坐标（含单位）、实验测试点。

    注：实验曲线可用坐标纸画图，也可用Origin数据处理软件由计算机做图。

4.     依实验结果完成实验结论。