电子电路市场调查及计算机应用实践指导手册
电气工程学院
20##年 8 月
《电子电路与计算机调查实践》指导书
电气工程学院
一、实践目的：
该项实习是为了充分利用社会资源，增强电气工程学院大学本科生的实践能力，以带队指导教师、各班导师组织和引导为主，学生以小组为单位自主进行的实践活动。实践的主要目的如下：
1. 了解后续课程中常用的电子元器件、常用仪器仪表的型号、性能、形状、外形尺寸、价格等，对组成电子电路的元器件有一个感性认识，建立产品成本的概念。
2. 通过对计算机市场的调查，根据不同的用途模拟组装一台性价比较高的计算机，使学生进一步了解计算机的软硬件组成，并建立性价比的概念。
3. 通过有组织的开放性实践活动。培养大学生自主管理、社会交往、互相帮助、独立完成任务等方面的综合能力。
4. 锻炼本科生撰写调查报告以及计算机办公软件的应用能力。
二、实践地点：
1. 成都市城隍庙电子电器市场。
2. 成都市磨子桥电脑一条街。
3. 学校计算机实验室。
三、实践内容：
1. 了解电阻器、电容器、电感器、继电器、开关按钮、电压表、电流表、万用表等电子元器件的型号、规格、性能、用途、形状、价格。
2. 了解二极管、三极管、场效应管、晶闸管、晶体管、集成电路等电子元件的型号、规格、性能、用途、形状、价格。
3. 了解计算机硬件的组成 (硬盘、内存、显卡、显示器、键盘、光驱、鼠标等)，了解计算机的型号、不同用途的计算机的配置和价格等。
四、实践要求：
1. 以班为单位进行分组，每一小组有三名同学组成，设组长一名。每班设指导教师一人，原则上由该班学生的导师担任。按照实习带队教师的统一部署，指导教师和组长一起制定每个小组实习的详细计划(包括出发和返校的时间、乘车的路线、实习的目的地等具体到每一天)，确保安全。
2. 根据调查写出不少于5000字的调查报告，用A4纸打印成册（报告模版在学院网站下载）。
3. 调查报告的具体内容：
(1) 进行调查的基本情况。
(2) 了解到的电子元器件的类型、规格、价格等列表说明。
(3) 了解到的电子元器件的形状及外形尺寸。
(4) 说明不同规格的同一种元器件的不同用途、性能指标等。
(5) 同类型、同规格的电子元器件的价格比较。
(6) 根据个人的爱好模拟组装一台完整的计算机，并分析其性价比。
(7) 本次市场调查的收获与感想。
五、调查具体安排
1、8月22日对整个调查进行具体安排，以及撰写注意事项
2、8月23日出发到达成都市城隍庙电子电器市场，开始对电子元器件进行调查，并详细询问各种电阻器，电容器等元件的型号规格、性能、价格
3、8月24日出发到达成都市磨子桥电脑一条街，开始对电脑硬件组成进行调查，并详细询问配置各种性能电脑的具体配置和价位
4、8月25日至5日上网查找关于电子元器件的相关知识，整理24号调查所得的电脑配件的相关知识
5、8月26日，收集调查过程中所获得的材料并上网查找元器件相关知识，撰写调查报告。
一.23日成都市城隍庙电子电器市场
我们一行人早上8：00从南区坐车来到了位于市中心的九里校区，在北门坐车来到了我们市场调查的第一站——城隍庙电子电器市场，也许由于我们出来的太早，这里没有我们想象中的忙碌，不过柜台里的原器件清楚的告诉我们没来错地方，在这里我们开始了我们的调查。
（一）．电阻
1.分类
a.按阻值特性:固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感 电阻) .
不能调节的,我们称之为固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻.常见的例如收音机音量调节的,主要应用于电压分配的,我们称之为电位器.
b.按制造材料:实芯碳质电阻器、绕线电阻器、薄膜电阻器、金属玻璃铀电阻器、贴片电阻、敏感电阻等.
C.按安装方式: 插件电阻、贴片电阻
d.按功能分：负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻等
2.几种常用的电阻器
（1）、实芯碳质电阻器
用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。
特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。
（2）、绕线电阻器
用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。
绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。
（3）、薄膜电阻器
用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：
a碳膜电阻器
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。
b 金属膜电阻器。
用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。
金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
c 金属氧化膜电阻器
在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。
d合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。
由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。
（4）、金属玻璃铀电阻器
将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。
耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。
（5）、贴片电阻SMT
片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。
（6）、敏感电阻
敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。
敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等。
a压敏电阻
主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。
b湿敏电阻
由感湿层，电极， 绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性， 较少使用。
氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。
c光敏电阻
光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。
d气敏电阻
利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。
e力敏电阻
力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言， 合金电阻器具有更高灵敏度。
3．电阻的主要参数
a. 标称阻值:标称在电阻器上的电阻值称为标称值.单位: Ω, kΩ, MΩ.标称值是根据国家制定的标准系列标注的,不是生产者任意标定的. 不是所有阻值的电阻器都存在.
b.允许误差:电阻器的实际阻值对于标称值的最大允许偏差范围称为允许误差.误差代码:F 、 G 、 J、 K… （常见的误差范围是：0.01%，0.05%，0.1%，0.5%，0.25%，1%，2%,5% 等）
c. 额定功率:指在规定的环境温度下,假设周围空气不流通,在长期连续工作而不损坏或基本不改变电阻器性能的情况下,电阻器上允许的消耗功率.常见的有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、10W
4．几种电阻器
（二）．电容器
1. 电容器的基本功能——充电和放电
常用电容器来实现旁路、耦合、滤波、振荡、相移以及波形变换等
2.分类
a、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
b、按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
c、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。
d、按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚丙烯电容等等
e、高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。
f、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。
g、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。
h、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
i、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。
j、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
（三）电感器
1.定义
电感是导线内通过交流电流时，在导线的内部及其周围产生交变磁通，导线的磁通量与生产此磁通的电流之比。
当电感中通过直流电流时，其周围只呈现固定的磁力线，不随时间而变化；可是当在线圈中通过交流电流时，其周围将呈现出随时间而变化的磁力线。根据法拉弟电磁感应定律－－－磁生电来分析，变化的磁力线在线圈两端会产生感应电势，此感应电势相当于一个“新电源”。当形成闭合回路时，此感应电势就要产生感应电流。由楞次定律知道感应电流所产生的磁力线总量要力图阻止原来磁力线的变化的。由于原来磁力线变化来源于外加交变电源的变化，故从客观效果看，电感线圈有阻止交流电路中电流变化的特性。电感线圈有与力学中的惯性相类似的特性，在电学上取名为“自感应”，通常在拉开闸刀开关或接通闸刀开关的瞬间，会发生火花，这就是自感现象产生很高的感应电势所造成的。
2. 电感的分类：
a按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。
b按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
c按工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
d按绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
e按工作频率 分类：高频线圈、低频线圈。
f按结构特点 分类：磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。
3. 电感的型号、规格及命名。
国内外有众多的电感生产厂家，其中名牌厂家有SAMUNG、PHI、TDK、AVX、VISHAY、NEC、KEMET、ROHM等。
a 片状电感
电感量：10NH～1MH
材料：铁氧体 绕线型 陶瓷叠层
精度： J=±5% K=±10% M=±20%
尺寸： 0402 0603 0805 1008 1206 1210 1812 1008=2.5mm*2.0mm 1210=3.2mm*2.5mm
价格：2—50元。
b 功率电感
电感量：1NH～20MH
带屏蔽、不带屏蔽
尺寸：SMD43、SMD54、SMD73、SMD75、SMD104、SMD105；RH73/RH74/RH104R/RH105R/RH124；CD43/54/73/75/104/105；
价格：0.1—10元
c色环电感
电感量：0.1uH～22MH
尺寸：0204、0307、0410、0512
豆形电感：0.1uH～22MH
尺寸：0405、0606、0607、0909、0910
精度：J=±5% K=±10% M=±20%
精度：J=±5% K=±10% M=±20%
插件的色环电感 读法：同色环电阻的标示
价格：30—40
d立式电感
电感量：0.1uH～3MH
规格：PK0455/PK0608/PK0810/PK0912
价格：160/K
e轴向滤波电感
规格：LGC0410/LGC0513/LGC0616/LGC1019
电感量：0.1uH-10mH。
额定电流：65mA~10A。
Q值高，价位一般较低，自谐振频率高。
价格：0.2/pcs
f磁环电感
规格：TC3026/TC3726/TC4426/TC5026
尺寸（单位mm）：3.25~15.88
价格：0.4—1元
四．继电器
1.分类
按继电器触点负载分类
微功率继电器 当触点开路电压为直流27伏时，触点额定负载电流（阻性）为0.1安、0.2安培的继电器。
弱功率继电器 当触点开路电压为直流27伏时，触点额定负载电流（阻性）为0.5安培、1安培的继电器
中功率继电器 当触点开路电压为直流27伏时，触点额定负载电流（阻性）为2安培、5安培的继电器
大功率继电器 当触点开路电压为直流27伏时，触点额定负载电流（阻性）为10安培、15安培、20安培、25安培、40安培的继电器
注：表中只给出一种直流阻性负载数值，其它负载由产品技术条件按相应的换算关系确定。
按继电器的外形尺寸分类
微型继电器 最长边尺寸不大于10毫米的继电器
超小型继电器 最长边尺寸大于10毫米，但不大于25毫米的继电器
小型继电器 最长边尺寸大于25毫米，但不大于50毫米的继电器
五．开关按钮
定义：开关一般指用来控制仪器，仪表或设备等装置的一个部件，他可以使该装置在开和关的两种状态下相互转换。如电源开关，光电开关，压力开关，转换开关等。
分类：按钮开关 船型开关 微动开关 钥匙开关 旋转开关
六．电压表
电压表是测量电压的一种仪器
1）常用电压表——伏特表 符号：-V-
2）大部分电压表都分为两个量程。（0—3V）（0—15V）
3）正确使用：调零（把指针调到零刻度）并联（只能与被测部分并联）正进负出（使电流从正极接入流进，从负极接入流出）量程（被测电压不能超过电压表的量程，用“试触”法选择适当量程。
4）直流电压表的符号要在V下加一个_，交流电压表的符号要再V下加一个波浪线“~”
电压表有三个接线柱，一个负接线柱，两个正接线柱
交流电压表不分正负极，正确选择量程，直接把电压表并联在被测电路的两端
定义特点：
（1）频率范围宽
被测信号电压的频率可以从0Hz到几千兆赫兹范围内变化，这就要求测量信号电压仪表的频带要覆盖较宽的率频范围。
（2）测量电压范围广
通常，被测信号电压小到微伏级，大到千伏以上。这就要求测量电压仪表的量程相当宽。电压表所能测量的下限值定义为电压表的灵敏度，目前只有数字电压表才能达到微伏级的灵敏度。
（3）输入阻抗高
电压测量仪表的输入阻抗是被测电路的附加并联负载。为了减小电压表对测量结果的影响，就要求电压表的输入阻抗很高，即输入电阻大，输入电容小，使附加的并联负载对被测电路影响很小。
（4）测量精度高
一般的工程测量，如市电的测量、电路电源电压的测量等都不要求高的精度。但对一些特殊电压的测量确要求有很高的测量精度。如对A/D变换器的基准电压的测量，对稳压电源的稳压系数的测量都要求有很高的测量精度。
（5）抗干扰能力强
测量工作一般都在存在干扰的环境下进行，所以要求测量仪表具有较强的抗干扰能力。特别是高灵敏度、高精度的仪表都要具备很强的抗干扰能力，否则就会引入明显的测量误差，达不到测量精度的要求。对于数字电压表来说，这个要求更为突出。
4.1.2 电子电压表的分类
电压表按其工作原理和读数方式分为模拟式电压表和数字式电压表两大类。
（1）模拟式电压表
模拟式电压表又叫指针式电压表，一般都采用磁电式直流电流表头作为被测电压的指示器。测量直流电压时，可直接或经放大或经衰减后变成一定量的直流电流驱动直流表头的指针偏转指示。测量交流电压时，必需经过交流-直流变换器即检波器，将被测交流电压先转换成与之成比例的直流电压后，再进行直流电压的测量。模拟式电压表按不同得方式又分为如下几种类型：
①按工作频率分类：分为超低频（1kHz以下）、低频（1MHz以下）、视频（30MHz以下）、高频或射频（300MHz以下）、超高频（300MHz以上）电压表。
②按测量电压量级分类：分为电压表（基本量程为V量级）和毫伏表（基本量程为mV量级）。
③按检波方式分类：分为均值电压表、有效值电压表和峰值电压表。
④按电路组成形式分类：分为检波-放大式电压表、放大-检波式电压表、外差式电压
七．电流表
1.作用：电流表是测量电路中电流大小的工具，又称“安培表”。
2.原理：电流表是根据通电导体在磁场中受磁场力的作用而制成的。
3.交流电流表在小电流中可以直接使用（一般在5A以下），但现在的工厂电气设备的容量都较大，所以大多与电流互感器一起使用。选择电流表前要算出设备的额定工作电流，再选择合适的电流互感器，在选择电流表。例如：设备为一台30KW电机，大概额定电流为60A左右，这样我们就要选择75/5A电流互感器,则电流表就要选择量程为0A-75A,75/5A的电流表,这样就是一台大电流设备的电流表的选择!
电流表型号的意义：（1）第一、二位数字-------形状代号。
（2）、字母---------C为磁电系，L为整流系，T为电磁系，D为电动系。
（3）、字母后数字--------设计序号。
1.指针式电流测量仪表 型号：72型 价格：18元/台
2.供应磁电系交流电流表 型号：XD-52 价格：8.5元/只
3.数字式电流测量仪表数字式多用表 型号：4T-DCI 价格：45元/台
4.交直流ZYX1-三位半数显电流表 型号：ZYX1-I 价格：100元/只
八．万用表
使用万用表欧姆档时要细心，注意刻度不均匀。
产品型号：指针万用表1109
直流电压 0.1/0.5/2.5/10/50/250/1000V(20KW/V) ±3%满刻度
交流电压 10/50/250/1000V(9KW/V)±3%满刻度
直流电流 50mA/2.5/25/250mA ±3%满刻度,
交流电流 15A ±3%满刻度
电阻 2/20KW/2/20MW±3%刻度长
分贝 -10～+6dB
HFE 0～1000(W×10)±3%刻度长
耐压 6000V AC 一分钟
产品型号： 指针万用表1106
直流电压 0.5/5/25/100/250/500V(5KΩ/V)±3%满刻度
交流电压 10/50/250/500V(2.5KΩ/V)±3%满刻度
直流电流 200μA/2.5/25/250mA ±3%满刻度,±5%满刻度(250mA)
交流电流 |||
温度 |20℃～+150℃,±5℃(0℃～+100℃),±10℃(其它范围)(使用7060温度探头)
电池检测 2V(20Ωload)
耐压 3000V AC | 分钟
电池 R6P(AA)(1.5V)×1
体积 130(L)×85(W)×38(D)mm
重量 约 175g
产品型号： 叉型数字万用表2000
直流电流 60A 100A 0～60A ±2%rdg±5位
交流电流 60A 100A 0～60A ±2%rdg±5位(50/60Hz)
直流电压 340mV 3.4V 34V 340V 600V 0～600V (5量程) ±1 5%rdg±4位
交流电压 3.4V 34V 340V 600V O～600V (4量程) ±1.5%rdg±5位(50|400Hz)
电阻(Ω) 340Ω (Continuity) 3.4kΩ 34kΩ 340kΩ 3.4MΩ 34MΩ O～33.99M Ω ±1%rdg±3位
频率(Hz) AC A 3.4kHz 10kHz 0～10kHz (2量程) ±0.1%rdg±1位
AC V 3.4kHz 34kHz 300kHz 0～300kHz (3量程) ±0.1%rdg±1位
最大电压 600V AC/DC(在线) 300V AC/DC(接地)
钳口尺寸 ф6mm max.
耐压 3700V AC | 分钟
附件 R03(1.5V)2
产品型号：卡式万用表1018
直流电压 400mV/4/40/400/600V(输入电阻，10MΩ) ±0.8％rdg±5dgt(400mV/4/40/400V) ±1.0％rdg±5dgt(600V)
交流电压 4/40/400/600V(Input impedance 10MΩ)±1.3％rdg±5dgt(4/40V) ±1.6％rdg±5dgt(400V/600V)
频率(Hz) 10/100Hz/1/10/100/200kHz
电阻(Ω) 400Ω/4/40/400kΩ/4/40MΩ ±1.0％rdg±5dgt(400Ω/4/40/400kΩ/4MΩ) ±2.5％rdg±5dgt(40MΩ)
二极管测试 4V 释放电压；约0.4mA测试电流
耐电压 3700V AC/1分钟
安全规格 IEC61010-1 CAT.Ⅲ 300V IEC61010|2|031 IEC61326|1
电源 LR|44(1.5V)×2
外形尺寸 107(L)×54(W)×10(D)mm
九．二极管
半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。
1.发光二极管 型号：ls-395400 封装形式：直插型 紫光二极管，适合验钞，波段从365-405，其中395-400眼人民币性价比最高，品质最稳定。价格：190元/k
2. 点接触型二极管 型号：WB-000 封装形式: 直插型 价格：0.39元/个
3. 平面型二极管 型号：WH-XXXXX 封装方式：直插型 价格：0.25元/个
4.扩散型二极管 型号：54+646 封装方式: 直插型 价格：0.1元/个
5.外延型二极管 型号：大功率LED路灯专用光源 封装方式：直插型 价格：0.01元/只
6.合金型二极管 封装方式：直插型 价格：40元/k
7.台面型二极管 P封装方式：直插型 价格：70元/k
8.肖特基二极管 型号：3MM 5MM 8MM 封装形式:1000只/袋 价格：0.06元/只
9.键型二极管 型号：GH-PW5W 封装形式：功率型 价格：20元/pcs
十.三极管
半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.
作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。
三极管的发明
1947年12月23日，美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士，在导体电路中进行用半导体晶体把声音信号放大的实验时，发明了科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。这３位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
三极管的主要参数
a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
c. hFE:电流放大倍数.
d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
e. PCM:最大允许耗散功率.
f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
三极管的分类:
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管
f.按结构工艺分：合金管、平面管
十一.场效应管
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
概念:
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类
场效应管2N60-12N60 品牌 silan 型号 2N60 4N65 7N60 10N65 12N65 种类 结型 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 价格0.80 元/个
场效应管BF96N60 品牌 BYD 型号 BF96N60 种类 结型 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型
场效应管MOS 品牌 仙童 东芝 英飞凌 FUJI 型号 4N60 5N60 6N60 7N60 2SK3505 种类 绝缘栅 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 价格0.10 元/个
场效应管FCA75CC50 品牌 三社 型号 齐全 封装形式 功率型 种类 原装 沟道类型 模块 导电方式 增强型 价格1.00 元/个
场效应管PM10M440H 品牌 日本 型号 PM10M440H 封装形式 功率型 种类 原装 沟道类型 模块 导电方式 增强型 夹断电压 380（V） 价格1.00 元/个
场效应管MITSUBISHI 品牌 三菱 型号 FM50DY-9 封装形式 功率型 种类 原装 沟道类型 模块 导电方式 增强型 价格1.00 元/个
场效应模块FM2G200US60品牌 神童 型号 FM2G200US60 封装形式 功率型 种类 模块 沟道类型 原装 导电方式 增强型 价格1.00 元/个
场效应模块PD10M440H品牌 日本 型号 PD10M440H 封装形式 功率型 种类 模块 沟道类型 原装 导电方式 增强型 夹断电压 价格1.00 元/个
十二.晶闸管
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
（二）按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
（三）按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
1.高频晶闸管 型号：IR型 .SEMIKRON型 SANREX型 FUJI型 控制方式：普通可控硅 优良的温度特性和功率循环能里承受高浪涌电流，低压降；价格：1元/只
2.普通晶闸管 型号：KP300A控制方式：单向价格：75元/个
3.高压晶闸管 型号：TPDV1240控制方式：双向可控硅价格：1元/只
4.快速晶闸管 型号：KK300A3000V控制方式：快速价格:90元/个
5.贴片型晶闸管 型号：BT169控制方式：单向价格：0.25元/个
6.平板晶闸管 型号：SKT1200/16E控制方式：温控价格：1元/个
晶闸管的工作原理
晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：
1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
从晶闸管的内部分析工作过程：
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2
当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。
式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
可控硅的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。
十三.晶体管
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
晶体管分类：
按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
电力晶体管
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。
光晶体管
光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快（约为50皮秒），但缺点是光敏面积小，增益小（放大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。
双极晶体管
双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。
双极结型晶体管
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。
场效应晶体管
场效应晶体管（field effect transistor）利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。
静电感应晶体管
静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
单电子晶体管
用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是最终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发现了库仑阻塞现象。在调制掺杂异质结界面形成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中形成一个量子点，它只能容纳少量的电子，也就是它的电容很小，小于一个？F (10~15法拉)。当外加电压时，如果电压变化引起量子点中电荷变化量不到一个电子的电荷，则将没有电流通过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的变化时，才有电流通过。因此电流-电压关系不是通常的直线关系，而是台阶形的。这个实验在历史上第一次实现了用人工控制一个电子的运动，为制造单电子晶体管提供了实验依据。为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使量子点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流——电压曲线，但离实用还有相当的距离。
绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
二.24日成都市磨子桥电脑一条街
一. 硬盘
硬盘（港台称之为硬碟，英文名：Hard Disc Drive 简称HDD 全名 温彻斯特式硬盘）是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。这些碟片外覆盖有铁磁性材料。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。
磁头
磁头是硬盘中最昂贵的部件，也是硬盘技术中最重要和最关键的一环。传统的磁头是读写合一的电磁感应式磁头，但是，硬盘的读、写却是两种截然不同的操作，为此，这种二合一磁头在设计时必须要同时兼顾到读/写两种特性，从而造成了硬盘设计上的局限。而MR磁头（Magnetoresistive heads），即磁阻磁头，采用的是分离式的磁头结构：写入磁头仍采用传统的磁感应磁头（MR磁头不能进行写操作），读取磁头则采用新型的MR磁头，即所谓的感应写、磁阻读。这样，在设计时就可以针对两者的不同特性分别进行优化，以得到最好的读/写性能。另外，MR磁头是通过阻值变化而不是电流变化去感应信号幅度，因而对信号变化相当敏感，读取数据的准确性也相应提高。而且由于读取的信号幅度与磁道宽度无关，故磁道可以做得很窄，从而提高了盘片密度，达到200MB/英寸2，而使用传统的磁头只能达到20MB/英寸2，这也是MR磁头被广泛应用的最主要原因。目前，MR磁头已得到广泛应用，而采用多层结构和磁阻效应更好的材料制作的GMR磁头（Giant Magnetoresistive heads）也逐渐普及。
磁道
当磁盘旋转时，磁头若保持在一个位置上，则每个磁头都会在磁盘表面划出一个圆形轨迹，这些圆形轨迹就叫做磁道。这些磁道用肉眼是根本看不到的，因为它们仅是盘面上以特殊方式磁化了的一些磁化区，磁盘上的信息便是沿着这样的轨道存放的。相邻磁道之间并不是紧挨着的，这是因为磁化单元相隔太近时磁性会相互产生影响，同时也为磁头的读写带来困难。一张1.44MB的3.5英寸软盘，一面有80个磁道，而硬盘上的磁道密度则远远大于此值，通常一面有成千上万个磁道。
扇区
磁盘上的每个磁道被等分为若干个弧段，这些弧段便是磁盘的扇区，每个扇区可以存放512个字节的信息，磁盘驱动器在向磁盘读取和写入数据时，要以扇区为单位。1.44MB3.5英寸的软盘，每个磁道分为18个扇区。
柱面
硬盘通常由重叠的一组盘片构成，每个盘面都被划分为数目相等的磁道，并从外缘的“0”开始编号，具有相同编号的磁道形成一个圆柱，称之为磁盘的柱面。磁盘的柱面数与一个盘面上的磁道数是相等的。由于每个盘面都有自己的磁头，因此，盘面数等于总的磁头数。所谓硬盘的CHS，即Cylinder（柱面）、Head（磁头）、Sector（扇区），只要知道了硬盘的CHS的数目，即可确定硬盘的容量，硬盘的容量=柱面数*磁头数*扇区数*512B。
磁头数(Heads)表示硬盘总共有几个磁头,也就是有几面盘片, 最大为 255 (用 8 个二进制位存储)；
柱面数(Cylinders) 表示硬盘每一面盘片上有几条磁道,最大为 1023(用 10 个二进制位存储)；
扇区数(Sectors) 表示每一条磁道上有几个扇区, 最大为 63(用 6个二进制位存储)；
每个扇区一般是 512个字节, 理论上讲这不是必须的,但好像没有取别的值的。
所以磁盘最大容量为：
255 * 1023 * 63 * 512 / 1048576 = 7.837 GB ( 1M =1048576 Bytes )或硬盘厂商常用的单位：
255 * 1023 * 63 * 512 / 1000000 = 8.414 GB ( 1M =1000000 Bytes )
在 CHS 寻址方式中，磁头，柱面，扇区的取值范围分别为 0到 Heads - 1。0 到 Cylinders - 1。 1 到 Sectors (注意是从 1 开始)。
二. 内存
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。
内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。
内存容量同硬盘、软盘等存储器容量单位都是相同的，它们的基本单位都是字节（B），并且：
1024B=1KB=1024字节
1024KB=1MB=1048576字节
1024MB=1GB=1073741824字节
1024GB=1TB=1099511627776字节
1024TB=1PB=1125899906842624字节
1024PB=1EB=1152921504606846976字节
1024EB=1ZB=1180591620717411303424字节
1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字节
三．显卡
是个人电脑最基本组成部分之一。显卡的用途是将计算机系统所需要的显示信息进行转换驱动显示器，并向显示器提供行扫描信号，控制显示器的正确显示，是连接显示器和个人电脑主板的重要元件，是“人机对话”的重要设备之一。显卡作为电脑主机里的一个重要组成部分，承担输出显示图形的任务，对于喜欢玩游戏和从事专业图形设计的人来说显卡非常重要
基本结构
1）GPU（类似于主板的CPU）
全称是Graphic Processing Unit，中文翻译为"图形处理器"。NVIDIA公司在发布GeForce 256图形处理芯片时首先提出的概念。GPU使显卡减少了对CPU的依赖，并进行部分原本CPU的工作，尤其是在3D图形处理时。GPU所采用的核心技术有硬件T&L(几何转换和光照处理)、立方环境材质贴图和顶点混合、纹理压缩和凹凸映射贴图、双重纹理四像素256位渲染引擎等，而硬件T&L技术可以说是GPU的标志。GPU的生产主要由nVidia与ATI两家厂商生产。
2）显存（类似于主板的内存）
显示内存的简称。顾名思义，其主要功能就是暂时将储存显示芯片要处理的数据和处理完毕的数据。图形核心的性能愈强，需要的显存也就越多。以前的显存主要是SDR的，容量也不大。而现在市面上基本采用的都是DDR3规格的，在某些高端卡上更是采用了性能更为出色的DDR4或DDR5代内存。显存主要由传统的内存制造商提供，比如三星、现代、Kingston等。
3）显卡bios（类似于主板的bios）
显卡BIOS 主要用于存放显示芯片与驱动程序之间的控制程序，另外还存有显示卡的型号、规格、生产厂家及出厂时间等信息。打开计算机时，通过显示BIOS 内的一段控制程序，将这些信息反馈到屏幕上。早期显示BIOS 是固化在ROM 中的，不可以修改，而现在的多数显示卡则采用了大容量的EPROM，即所谓的Flash BIOS，可以通过专用的程序进行改写或升级。
4）显卡PCB板（类似于主板的PCB板）
就是显卡的电路板，它把显卡上的其它部件连接起来。功能类似主板。
5）其它
比如GPU风扇等等。
四.显示器
（1）液晶显示屏的缺点
色彩不够艳，你或者在显示器的商店上看到显示的产品真不错，但那场合备有足够的灯光，才能够看到表现如此的郊果。因为液晶显示屏主要的的光源是通过反射外来光源，（请看有关物理的百科）将产品搬回家你就大有发现了效果不同让人失望。
一．学生笔记本
联想Y450A-TSI(白) 5900元
屏幕尺寸：14英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 T6600
显卡芯片：NVIDIA GeForce GT 130M
标配内存：2GB
硬盘容量：320GB
惠普CQ35-107TX 4900元
屏幕尺寸：13英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 T6400
显卡芯片：NVIDIA GeForce G 105M
标配内存：2GB
硬盘容量：320GB
二．商务本
戴尔E6400（S833121CN） 7399元
屏幕尺寸：14.1英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 P8600
显卡芯片：Intel GMA X4500HD
标配内存：1GB
硬盘容量：160GB
东芝M833 5500元
屏幕尺寸：13.3英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 T6400
显卡芯片：Intel GMA X4500
标配内存：2GB
硬盘容量：250GB
三．游戏笔记本
联想V550A-PSE 7600元
屏幕尺寸：15.4英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 P7450
显卡芯片：NVIDIA GeForce 9600M GS
标配内存：2GB
硬盘容量：320GB
戴尔M1530（S510446CN） 5799元
屏幕尺寸：15.4英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 T6400
显卡芯片：NVIDIA GeForce 8600M GT
标配内存：2GB
硬盘容量：250GB
四．超薄笔记本
联想U350-STW 4999元
屏幕尺寸：13.3英寸
处理器型：Intel 奔腾 ULV SU2700
显卡芯片：Intel GMA X4500
标配内存：2GB
硬盘容量：320GB
方正VUS370-T650AQ 6699元
屏幕尺寸：13英寸
处理器型：Intel 酷睿2双核 T6500
显卡芯片：Intel GMA X4500
标配内存：2GB
硬盘容量：320GB
合计金额：3305元
市场调查的收获和感想
两天的磨子桥与城隍庙之行，每日往返于学校和市场，与商人们苦苦周旋虽然很苦很累，但徜徉于琳琅满目的电子元器件和日新月异的电脑之中，心中甚是满足，感受也颇为深厚。
此次的电子市场调查给予我很好的机会，让我更好地了解了电子电器方面的相关知识。在调查之初，我们是即兴奋又认真，但开始以后才发现我们的人生阅历是如此至少。我们缺少与人交流的技巧，缺乏主动询问的勇气，这让我们在调查过程中遇到了很大的难题，但通过锻炼我们不仅掌握了许多的调查技巧，也对电子元器件的有了更多的了解。这对我们以后的学习有很大的帮助，可以让我我更加有信心和根轻松的面对今后的学习和相关实践。
调查实习给我的最大感受就是：社会就是最好的课堂。社会上有许多我们在课本上学不到的知识，只有将课本与社会经历相结合才是最好的学习。通过这样的实习，让我们更加深刻的了解相关知识，很感谢学校为我们提供了这样的一个机会，让我们更多的去了解社会，改变自己以前的思维与视角，更新的去认识自己，适应社会，既让我们增长了知识与见识，也让我们在本专业相关领域得到进步，为我们今后的社会生活奠定了坚实的基础。