巨磁电阻效应

摘要： 巨磁电阻（GMR）效应自发现以来即引起各国企业界及学术界的高度重视,GMR效应已成为当前凝聚态物理研究的热点之一。它不仅具有重要的科学意义,而且具有多方面的应用价值。目前,GMR效应主要用于磁传感器、随机存储器和高密度读写磁头等方面。此外,GMR传感器在自动化技术、家用电器、卫星定位、导航、汽车工业、医疗等方面都具有广泛的应用前景。

在磁场作用下，因磁性金属内部电子自旋方向发生改变而导致电阻改变的现象，被称为磁致电阻（Magnetic Resistance，MR）效应。铁磁金属和合金一般都有磁致电阻现象。磁致电阻效应的产生有不同的物理机制，按不同的物理机制可作如下分类：正常磁电阻效应、各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应、掺杂稀土锰氧化物的超巨磁电阻效应以及隧道磁电阻效应。目前，各向异性磁电阻效应的应用最广，巨磁电阻效应、超巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应因性能优于各向异 性磁 电阻效应而成为研究热点 ，其中，巨磁电阻（ GaintMagnetoresistance，GMR）效应是研究最广泛、最深入、科研和实用价值最高的磁致电阻效应。

1，巨磁电阻效应的发现

1980 年，美国 IBM 研发人员利用 MR 技术研制成功了 MR 的磁阻磁头，实 现了硬盘驱动器的第一次飞跃。但随着信息技术的突飞猛进，对信息存储容量的 要求不断提高，利用 MR 技术，即使在很大的磁场作用下，磁致电阻的变化也只有 1%～3%，这远远满足不了实际发展的需求，为此，必须寻找和发明新的 MR技术。1986 年，德国的 P.Grünberg 研究小组在真空环境下通过分子束外延 （MBE）技术，制备了一种“铁磁/非磁/铁磁”（Fe/Cr/Fe）三明治式薄膜结构， 研究发现，当 Cr 层厚度为 0.9nm 时，材料获得了很高电阻值。

两年后，法国的A. Fert 研究小组在 Fe（3nm）/Cr（0.9nm）金属超晶格多层膜中同样发现，在一定外磁场存在下，该结构的电阻值发生急剧变化，当外磁场为 2KOe，温度为4.2K 时，其磁电阻变化率超过 50%。由于 Fe/Cr 多层膜的磁电阻效应非常明显，因此被定义为巨磁电阻效应。

图 1-1 为 Fe/Cr 多层膜巨磁电阻效应示意图，由图中可以看出，在无外加磁场时，磁性层的磁矩呈反平行排列，随着外加磁场逐渐增大，磁性层的磁矩在外磁场的作用下趋于平行排列，多层结构的电阻随之减小，当外加磁场强度达到使磁性层磁化饱和时，即磁性层磁矩为平行态时，电阻减小到最小值，反平行态时电阻值最大。由于 Fe/Cr 多层膜的磁电阻效应非常明显，因此被定义为巨磁电阻效应。

2，巨磁电阻效应产生机理

1936 年科学家 N.H.Mott 发现将铁磁金属加热到居里温度以上，其电阻会发生显著增加，Mott通过研究，建立了“双流体”理论模型（即 Mott 模型），并成功解释了该现象。Mott 模型的基本思想是：（1）电子在传输过程中的自旋翻转可忽略，即将电子分成自旋向上和自旋向下两种独立的导电通道，类似于并联输运通道；（2）在铁磁金属中对磁性有贡献的 3d 电子自旋取向分为自旋向上与自旋向下两种，磁性层的磁矩方向取决于自旋电子产生的自旋磁矩的取向；（3） 传导电子在输运过程中受到的散射取决于磁性层磁矩的取向。

巨磁电阻的产生机理可以采用 Mott 模型来阐述。在非磁性金属中，自旋向上和自旋向下的电子数是相同的，不存在自旋极化现象，而在铁磁金属中，由于量子力学交换作用，铁磁金属的 3d 轨道局域电子能带发生劈裂，自旋向上与自旋向下的电子在 Fermi 面处的数目是不同的，在一定电场的推动下会发生自旋极化，导致它们对不同自旋取向的传导电子的散射不同。当不同自旋取向的传导电子经过铁磁层时，被散射的程度取决于铁磁层磁矩的取向，导致了相邻铁磁层在平行态和反平行态时电阻值的不同，从而产生巨磁电阻效应。为了简化，这里以格林贝格尔实验中的铁磁／非磁／铁磁的三明治结构，即Fe／Cr／Fe，为例来介绍。费尔的实验中的超品格多层膜结构可以用相同的物理机理来解释。巨磁电阻效应通常用两自旋电流模型来描述。

当磁矩平行和反平行时相应的态密度示意图。当两个铁磁层磁矩平行时，两边费米能级处自旋向下的电子数都较多，因此在两个铁磁／非磁界面受到的散射很弱，是低电阻通道，表示为2RL(其

中2表示受到两个界面散射)；相反，

自旋向上的电子数较少，因此在两个铁

磁／非磁界面受到的散射很强，是高电

阻通道，表示为2RH。根据两自旋电流

模型，相应的等效电阻如右图所示。

所以，总电阻为2RLRH／(RL+RH)。当两个铁磁层磁矩反平行时(图2(b))，左边铁磁电极费米能级处自旋向下的电子数较多，对自旋向下的电子，在穿过第一个铁磁／非磁界面时受到的散射较弱，是低电阻态，RL；但是在第二个铁磁层中，自旋向下的电子态密度较少，在铁磁／非磁界面受到的散射很强，是高电阻态RH，因此，自旋向下的通道的总电阻就是(RL+RH)。相似的，对自旋向上的电子通道，电子在两个界面处分别受到强散射和弱散射，总电阻为(RL+RH)，如图3(b)所示，总电阻为(RL+RH)／2。所以，磁电阻的大小为[1]：

[1]

3，巨磁电阻效应的应用

巨磁电阻效应的发现促进了磁电子学的兴起和发展，GMR 材料的优异性能 使其在信息记录及磁电子学器件等领域有着广阔的应用前景，目前其工业应用 主要集中在以下几个方面：

（1）巨磁电阻高密度读出磁头：在高密度磁记录信息应用领域，传统的 AMR磁头的最大磁电阻仅为 6%，磁场灵敏度最大约为 0.4%/Oe，对于微弱的信号无法形成磁电阻，已不能满足市场的需求。巨磁电阻磁头的磁电阻值在室温下高达30%，磁场灵敏度可达 1%/Oe，磁头分辨率得到了很大提高，这意味着即使将信息的磁单位面积大大缩小，磁头也可以分辨出来，因而在高密度磁记录信息领域具有很高的应用价值。2002 年，Fujitsui 公司采用 CPP-GMR 磁头和垂直记录技术，成功开发出记录密度达 300Gb/in2（46.5Gb/cm2）的超高密度读出磁头使 GMR 高密度读出磁头的市场价值得到实现，从而开创了信息记录领域的新纪元。

（2）巨磁电阻传感器：磁传感器主要用来检查磁场的存在、强弱、方向等。 由于 GMR 元件的磁电阻变化率大，磁场灵敏度高，可传感微弱磁场，不仅大大提高了磁传感器的分辨率、灵敏度、精确性等指标，还扩大了磁电阻传感器的测量和应用范围，在家用电器、汽车、自动控制、物性检测和生物医学等方面呈现出广阔的应用前景。

（3）巨磁电阻随机存储器：采用 GMR 效应制备的巨磁电阻随机存储器 （MRAM）与传统半导体随机存储器相比，不仅具有非易失性、抗辐射、长寿 命和低成本等优点，而且其所需电流电压信号小、响应时间短，实现了高存储密 度和快速存取。Honeywell 公司是首个利用 GMR 材料作为存储器芯片的公司， 之后 IBM、摩托罗拉、西门子和 INESC 等都开始加紧研究。IBM 公司的 Tang 等人提出了自旋阀 GMR 设计方案，采用 NiFe/Cu/NiFe/MnFe 自旋阀巨磁电阻 多层膜作为存储单元，使存储速度达到亚纳秒（10-10s）数量级，为计算机内存 储器的研究指明了新的研究方向。

第二篇：巨磁电阻效应及其传感器的原理

巨磁阻效应及其传感器的原理和应用

    

      一、   概述

      对于物质磁电阻特性的研究由来已久，早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化，通常用电阻变化率Δr/r描述。研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10-5%；对于磁性金属或合金材料（例如坡莫合金），Δr/r可达（3~5）%。所谓巨磁电阻（GMR）效应，是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小，而Δr/r急剧增大的特性，一般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电阻约高10倍。利用这一效应制成的传感器称为GMR传感器。

      1、分类

      GMR材料按其结构可分为具有层间偶合特性的多层膜（例如Fe/Cr）、自旋阀多层膜（例如FeMn/FeNi/Cu/FeNi）、颗粒型多层膜（例如Fe-Co）和钙钛矿氧化物型多层膜（例如AMnO3）等结构；其中自旋阀（spin

      valve）多层膜又分为简单型和对称型两类；也有将其分为钉扎(pinning)和非钉扎型两类的。   

      2、巨磁电阻材料的进展

      1986年德国的Grunberg和C.F.Majkrgak等人发现了Y/Gd、Y/Dy和Fe/Cr/Fe多层膜中的层间偶合现象。1988年法国的M.N.Baibich等人首次在纳米级的Fe/Cr多层膜中发现其Δr/r在4.2K低温下可达50%以上，由此提出了GMR效应的概念，在学术界引起了很大的反响。由此与之相关的研究工作相继展开，陆续研制出Fe/Cu、Fe/Ag、Fe/Al、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag、Co/Au……等具有显著GMR效应的层间偶合多层膜。自1988年发现GMR效应后仅3年，人们便研制出可在低磁场（10-2～10-6T）出现GMR效应的多层膜（如[CoNiFe/CoFe/AgCu/CoFe/CoNiFe]n）。

      1992年人们利用两种磁矫顽力差别大的材料（例如Co和Fe20Ni80）制成Co/Cu/

      Fe20Ni80/Cu多层膜，他们发现，当Cu层厚度大于5nm时，层间偶合较弱，此时利用磁场的强弱可改变磁矩的方向，以自旋取向的不同来控制膜电阻的大小，从而获得GMR效应，故称为自旋阀。

      与此同时，1992年A.E.

      Berkowitz和Chien等人首次发现了Fe、Co与Cu、Ag分别形成二元合金颗粒膜中的磁电阻效应，在低温下其Δr/r可达（40~60）%。随后陆续出现了Fe-Ag、Fe-Cu、CoxAg1-x/Ag等颗粒多层膜。

      1993年人们在钙钛矿型稀土锰氧化物中发现了比GMR更大的磁电阻效应，即colossal magneto-

      resistance（CMR）庞磁电阻效应，开拓了GMR研究的新领域。

      GMR效应的理论是复杂的，许多机理至今还不清楚；对于这些理论也分为层间交换偶合（IEC）、磁性多层膜的GMR、隧道磁电阻（TMR）等类型，详情可参阅有关文献。

      3、巨磁电阻传感器的进展

      在发现低磁场GMR效应之后，1994年C.Tsang等研制出全集成化的GMR器件—自旋阀。同年，美国的IBM公司研制出利用自旋阀原理的数据读出磁头，它将磁盘记录密度提高了17倍，达5Gbit/6.45cm2（in2），目前已达11Gbit/6.45cm2（in2）。这种效应也开始用于制造角度、位置传感器；用于数控机床、汽车测速、非接触开关、旋转编码器等领域。作为传感器它具有功耗小、可靠性高、体积小、价格便宜和更强的输出信号等优点。最近已研制出利用CMR效应的位置传感器。20##年7月在德国的德雷斯顿举行的第3届欧洲磁场传感器和驱动器学术会议上，关于GMR传感器的论文占论文总数的1/3以上，可见人们的关注程度。

表1自旋阀GMR代表值特性表

    二、磁性多层膜的巨磁电阻效应

1、磁性层间偶合多层膜

 图4 Cu-Co合金颗粒膜GMR效应 图5钙钛矿氧化物的CMR效应特性曲线 图6 La-Y-Ca-Mn-OCMR

效应曲线

      磁性层间偶合多层膜和自旋阀多层膜的主要区别是：前者采用层间偶合方式进行信号传递；后者采用控制磁矩取向方式进行信号传递。

      层间偶合多层膜结构通常由铁磁金属（FM）层和非磁性金属（NM）层交替生成，其通式为：CM/FM/NM…/FM/CM（1）

      式中：CM—上下两侧的覆盖层(或称缓冲层)为金属材料,有无皆可。

      1988年法国的M.N.Baibich等人在美国物理学会主办的Physical Review

      Letters上发表了有关Fe/Cr巨磁电阻效应的著名论文，首次报告了采用分子外延生长工艺（MBE）制成Fe（100）/Cr（100）规则型点阵多层膜结构。在这种（Fe/Cr）n结构中，Fe为强铁磁性金属，Cr为反铁磁性金属，n为Fe和Cr的总层数。它是采用MBE工艺将Fe（100）/Cr（100）生长在GaAs芯片上，其工艺条件是，保持MBE室内剩余压力为6.7´10-9Pa，芯片温度约20°C，淀积速率：对于Fe为0.06nm/s；对于Cr为0.1nm/s。它们每层的厚度约（0.9～9）nm，通常为30层。为获得上述淀积速率，还专门设计了坩埚蒸发器。经实验发现，当Cr的厚度小于（0.9～3）nm时，它与Fe层之间偶合的一个反向铁磁特性（AF）的磁滞回线斜率逐渐增大。图1显示了Fe层为3nm，Cr层分别为0.9nm、1.2nm和1.8nm，磁感应强度B在±2T范围内，热力学温度T=4.2K，n=30、35、60时，3个不同样本的特性。随着Cr厚度的增加和总层数的降低，Δr/r也升高，而且高斯磁场强度HS越弱，Δr/r越高，当HS≈2T时，[Fe（3nm）/Cr0.9nm]60膜的Δr/r

      可达50%以上。实验还发现，即使温度升至室温，HS降低了30%，Δr/r也可达到低温值的一半，这一结论具有十分大的实用价值。

      随后人们发现了大量层间偶合多层膜中GMR效，如（Co/Cu）n、（Co/Ru）n、（CoFe/Co）n、（Co/Ag）n、（NiFe/Cu）n、（NiCo/Cr）n、（NiFeCo/Cu/Co）n、（NiFeCo/Cu/Co）n和（NiFeCo/Al+Al2O3/Co）n等材料。这些材料在室温下的Δr/r也都达到10%以上甚至更高  。

      2.自旋阀多层膜

      简单型自旋阀通常是由一层NM（例如Cu）和两层FM组成。与多层结构不同，具有扎钉磁化取向特性的第一FM层作为参考层，适当的选择Cu层的厚度，使它仅将微弱的磁场信号偶合到作为敏感层的第二FM层。通常的扎钉功能是指在磁场作用下，向参考层上淀积一层反铁磁性（AFM）材料（例如NiO）获得的，为了改进扎钉结构的性能，在其和AFM层之间可以附加一个三层层间偶合系统，与它的第一层为AFM层的材料偶合。如果采用FeMn作为AFM层，就会出现如图2所示的磁电阻特性，图中第一条低磁场强度曲线的斜率是因敏感层旋转所致；第二条高磁场强度的斜率曲线是由参考层旋转所致；参考层旋转使得场强通常发生在与交换偏置场（Hex）的相关处。如果我们将一个磁电阻作为磁场方向的函数，可以获得接近正弦波形的曲线。在低于Hex

      一定范围内（图中的工作范围内），该特性与磁场强度无关，Δr/r与旋转角度相关，因此可用于角度传感器。与霍尔元件和非均质磁电阻（AMR）元件不同，这种磁电阻元件测量角度仅需要几十毫特斯拉的磁感应强度，信号周期为360°  。

      根据扎钉层（NiO）相对于Si芯片的位置，简单自旋阀可分为“顶结构”和“底结构”两种。图3是具有不同层数多层膜的各种排列方式。图3(a)是3层对称自旋阀结构，由3层磁性膜组成，中间的膜为自由层，两侧的NiO为扎钉层。图3(b)是一个对称多层自旋阀结构，2个扎钉层之间是一个Co/Cu/Co/Cu/Co多层膜。图3(d)是一个底结构自旋阀，将一个Co/Cu/Co多层膜放在扎钉层NiO的上面。

      为了在3层或多层磁性膜内获得GMR效应或AFM层间的交换和偶合效应；加工多层膜结构必须采用图3(c)软硬材料相间的方式。表1是简单和对称自旋阀的GMR特性表  。

      3. 颗粒多层膜

      颗粒多层膜通常是由二元金属形成的合金颗粒膜，在低温状态下，它具有GMR效应，其Δr/r也可达到（40～60）%。1992年A.E.Berkowitz和Chien等首次发现了Cu-Co合金颗粒膜的GMR效应。他们采用磁控溅射工艺，将Cu、Co分别溅射到Si（100）芯片上，形成Co-Cu薄膜；该芯片以1r.p.s.的速度转，背景压力为调整溅射速率可生成8´10-4Pa，Co含量分别为12%、19%、28%，厚度为300nm的薄膜。图4是Cu-Co合金颗粒膜的特性曲线图，曲线a、b为19Co、28Co的样品，是采用淀积方法，在T≥100K时获得的，可以看出曲线b已经产生振荡，它们的Δr/r分别达到8%和2%；而曲线c是在T≥10K时的19Co样品的特性，它的Δr/r达22%以上，可见还是相当高。实验证实，对于这种薄膜经热处理退火后，即使在室温下也可以获得20%以上的Δr/r。

       

      近年来，不断出现了对于Fe-Ag、Fe-Cu等颗粒多层膜GMR特性的研究，发现材料的磁性成分较小时，颗粒间作用也较小；成分增至（25～30）%时，其颗粒间具有较强的磁偶合。颗粒多层膜的另一特点是其磁性饱和场比磁电阻饱和场低得多；它在零磁场条件下电阻随温度的变化比在磁场中电阻随温度的变化要小得多。

          

图8.自旋阀角度传感器

 4.钙钛矿氧化物多层膜

      1993年，R.Von.Helmholt等人首次在La2/3Ba1/3MnOx铁磁多层膜中发现了巨大的CMR效应，该多层膜在磁性转变温度（居里点Tc）附近，Δr/r高达（106～108）%，即使在室温下的Δr/r也可达60%。这类多层膜采用外延生长、离轴（off—axis）激光淀积和退火等工艺，将膜生长在SnTiO3芯片上。图5是在T=300K条件下，淀积和退火后电阻率与温度的相关曲线。从图中看出，随着磁场的增大

      Δr/r减少，Δr/r的峰值发生在零磁场附近。

      图6是1995年S.Jin等人对La0.60Y0.07Ca0.33MnOx多层膜进行研究，采用多晶硅芯片,在T=140K，Hs≈6T条件下，生成钙钛矿氧化物多层膜，获得的CMR效应曲线，它的Δr/r高达10000%。

       

      三、巨磁电阻传感器

      通常，轮速或增量位置传感器由磁场激励和检测传感器或电桥两部分组成。为了产生一个周期性变化的磁场，激励部分可采用一个永磁铁多极轮，也可由一个铁磁轮和一个外加磁场组成。检测传感器包括磁场传感器、GMR传感器等。这类传感器可用作反时针刹车系统的轮速传感器，控制汽车发动机的速度和位置传感器以及各种角度增量编码器等。

      1.磁性层间偶合多层膜传感器

      由于Co/Cu多层膜或在其基础上研制的CoCu/Co多层膜的磁电阻特性无迟滞效应，而且使用温度已达到200℃以上，长期稳定性也高于500h，因此，将它用于传感器的较多。图7是C.P.O.Treutlerba研制的一种用于测量车轮速的多层膜传感器的电路框图，采用Co/Cu或CoCu/Cu多层膜制成的4个GMR敏感电阻，组成一个电桥型场强计（gradiometer）。图中d是电桥的2个半桥之间的距离，实际上就是磁极轮的磁极距。当极轮的旋转速度不同时，GMR传感器的桥路阻值将改变，使电桥产生并输出一个与轮速相关的输出信号，从而获得被测速度。

      2.自旋阀多层膜传感器

图8是一个与层间偶合多层膜传感器类似的自旋阀角度传感器的框图，它的敏感电阻为FeMn/Co/Cu/NiFe多层膜。这种传感器也将4个敏感GMR放在电桥内。为了从均匀磁场内的桥路中获得信号，应使与2个半桥相关的参考层的方向相反。因此，该传感器采用了一种所谓二次淀积工艺形成自旋阀，即在磁场旋转下进行第一次淀积；利用第二次淀积期间除去中间介质层，以获得方向相反的小尺寸参考层。该传感器具有造价低、批量加工和采用微机械加工工艺等优点，可以满足汽车传感器对环境温度在200℃左右的要求，与极轮或外加磁场配合使用。

      图9是G.Rieger等人报告的另一种非接触式自旋阀位置传感器，它由可旋转磁铁和自旋阀多层膜系统两部分组成。通常将可旋转磁铁固定在被测对象上，使其能够随旋转对象一起转动。多层膜结构包括顶、底两层Fe作为检测层，为软磁性材料；两检测层之间是一个Cu、Co相间的子系统作为反磁性（AAF）层，

      是硬磁性材料；由此形成一个软硬相间的自旋阀系统。该传感器的测量原理是，在一个与Cu/Co多层膜系统的固定磁化率相关的外加磁场作用下，软磁性检测层的磁化率的方向将随之改变，输出一个与外加磁场角度的余弦变化量相关的敏感信号。

      如果软材料层和硬材料层的磁化排列相互平行，则GMR值最小；如果它们反向平行，则GMR值最大。该传感器多层膜的Δr/r约为5%；由于其检测层达不到完全的软磁性，仍存在各向异性，

      因此产生的迟滞为±1°；H为2.5～30kA/m，温度系数Δr/Tr为-0.25%/K。与Hall、AMR磁场传感器不同，该传感器仅对位置敏感，由此测量出所加磁场的方向，而与所加磁场的强度在很大的范围内无关。因此在被测对象及旋转磁铁与多层膜系统之间可形成一个巨大的空气间隙，以调节非相关方向的力矩。图中的M1、M2说明角度与自旋阀检测层和多膜系统之间的力矩相关。该传感器采用热氧化淀积工艺将每个敏感薄膜形成在Si片上，构成单个传感器；或者采用标准光刻工艺将多层膜电阻桥路形成在Si片上，制成GMR全桥传感器。每个GMR元件均呈曲线形状，阻值为800W。全桥传感器的外型尺寸为0.5mm´1mm，封入标准的SMD壳内。

      基于上述GMR传感器的输出信号为正弦曲线，因此适于制造低造价、非接触式传感器。下面是3个非接触式绝对位置传感器的实例，图10(a)是一个前轮角度传感器，它将旋转永久磁铁放在GMR之上，由GMR传感器检测出旋转磁铁的位置，从而获得车轮的角度。图10(b)是采用相同原理的角度传感器，它将GMR元件放在磁化2极磁轮的侧面。图10(c)利用了一个可至几厘米的偶极场的角度变化，由一根单独的棒形磁铁产生的离散磁场的GMR来测量出线性位置。上述3例采用复校电路，可获得最大位移为10mm时，电路的分辨率达20mm。

      图11(a)是一种铁磁轮式传感器，它的被测对象可以是一个机械齿轮，将GMR元件放在磁铁和齿轮之间，当齿轮旋转时，磁场的分布将发生改变，从而在GMR元件内产生相应的数字化输出信号。图11(b)是一种磁极轮式传感器，磁极轮的旋转将改变磁场的分布，GMR元件内产生GMR效应，输出相应的数字化信号。C.Giebeler等人也报告了类似的GMR角度和

      旋转速度传感器。

      最近Werner.Ricken等报告了一种采用GMR和涡流传感器进行混凝土无损试验的研究。他们将4个GMR元件组成的惠斯登电桥形成在Si芯片上。然后密封入一块8针SOIC壳内。在|B|的线性范围≤1.1mV条件下，温度灵敏度为3.79%/mT。

      3.颗粒膜传感器

最近，M.Angelakeris等人报告了一种Ag-Co颗粒多层膜磁场传感器，它的加工是在超高真空条件下，采用电子束溅射工艺，将其淀积在Si、聚烯亚胺、玻璃等芯片上。它的加工工艺如图12分4步，首先采用平板印刷工艺将聚烯亚胺膜淀积在Si（100）芯片上，该模由8个传感器形成2×4传感器阵列组成。第二步是选择Ag-Co多层系统淀积在该芯片上。第三步是淀积后除去未覆盖聚烯亚胺膜部分，只将传感器的Ag-Co多层膜系统保留在Si芯片上。最后，将作为电气引线的Al接点预制在传感器元件之间，这种二维传感器可以扩展为16、32、64个元件，加工更多的元件应采用三维结构，但这将使电气引线变得更复杂。这种传感器适用于稳定、均匀的小磁场测量领域。

图12.Ag—Co颗粒多层膜磁场传感器的加工工艺

4.庞磁电阻传感器                                                                    

图13是O.J.Gonzalez等人最近研制的GMR位置传感器，它的敏感多层膜是一种钙钛矿氧化物，其主要成分是La0.67Sr0.33MnO3（LSMO），形成在Al2O2芯片上，呈4个环型电阻形状，作为惠斯登电桥的4个敏感臂，它们在磁场中阻值将减少。该传感器工作原理是，当两个磁电阻相对变化时（R1和R3、R2和R4），非平衡电桥受永久磁场影响，输出最大值；当所有磁电阻对桥路的影响相平衡时，桥路输出为零。磁电阻电桥与旋转角度相关的灵敏度可表示为：

图13.庞磁电阻位置传感器原理和芯片布置图

      Sb=∣DVo(Q)/ Vi/DQ∣   （2）

      式中：ΔVo（Θ）—桥路不平衡时输出电压变化率；

      Vi—桥路输入电压；

      ΔΘ—敏感角度变化率。

      该传感器的加工工艺包括形成Al2O3芯片、光刻LSMO形成电桥以及最后进行退火热处理等12步。芯片总尺寸为

      17mm´17mm´20mm，Sb为70.66mV，电路接口灵敏度为4.26mV/V/ º。[12]

      5.半磁性半导体传感器

      最近，A.I.Savchuk等人采用改进型Bridgman方法，生长出Hg1-x

      CrxSe和Hg1-xEu1-xTe单晶体薄膜，实验发现这两种材料具有显著的GMR效应。在x>0.05的Hg1-x

      CrxSe晶体内，存在与温度相关的针状不规则的GMR特性。室温下，Hg1-x

      CrxSe晶体的Dr/r值可达100%。此材料已用作磁场传感器。正在研究采用激光淀积工艺制造这种薄膜。

       

      四、结束语

      综上所述，磁性材料的GMR效应及传感器的发展，有以下几个特点：

      1.  

      对于各种GMR材料的研究方兴未艾，不断有新材料或新的GMR效应出现，例如，CMR材料、Hg1-xEu1-xTe晶体等，有些材料室温下的Dr/r竟达100%；其应用前景诱人。就目前的研究成果而言，自旋阀多层膜成果最多；Co-Cu类颗粒多层膜应用也较多  。

      2.   与GMR效应类似，人们自1992年开始还发现了微晶或非晶软磁合金薄膜中的巨磁电感、巨磁阻抗效应（GMI）；M.Vazquez

      等人已制成Co-Fe非晶软磁合金薄膜磁场传感器，这一领域有进一步发展的潜力。

   

 3.   对于GMR效应的应用，集中在数据读出磁头及存储器、弱磁场检测和位置类传感器等方面。GMR传感器的应用大都用多层膜电阻形成惠斯登电桥，利用被测量引起的磁场变化，导致桥路产生相关输出电压。这种传感器最早用于弱磁场检测；目前更多的是用于测量位置、速度、角度、位移等领域。就GMR效应的温度的特性而言 ，它也应当能够用于特定场合的温度测量。

   4.   GMR传感器芯片在军事装备上的应用是广泛的，主要有：

A. 超微磁场探测器

由于GMR在微磁场测量方面的性能是相当优越的，用GMR元件研制的超微磁场探测器可以探测到几十公里范围内金属物体的存在和移动，结合其它红外、热成像、温度等传感器可以在战场上得到敌我双方军队分布即时信息，即战场虚拟实景。

B. 地磁场探测传感器

用GMR传感器测出所在地周围的地磁以及变化，为舰船、坦克、车辆的磁隐形提供信息数据，作为这些军事装备的磁隐形系统的微磁场探测器。

C.     航天器磁场方位传感器

利用天体的微弱磁场进行航天器的太空定位，即卫星、飞船的姿态参照，以前是采用磁通门来实现，如用GMR传感器可以做到体积小、灵敏度高等优点。

D.    核潜艇和飞机自动导航系统

由于GMR的磁灵敏度高，所以利用地磁来做核潜艇和飞机的自动导航系统是非常理想的。

E.     电子罗盘

利用GMR的磁场方向性的特点，可以研制出三维电子罗盘，在军事上有着广泛的应用。

F.  对各种军用磁敏传感器都可以研制出新一代的产品。

   5.    我们有理由相信：无论对GMR效应还是对GMR传感器的研究都还处于探索阶段，但是由于与其它薄膜相比它们具有加工简单、造价低、灵敏度高等特点，其发展前景不可限量。

南京中旭电子科技有限公司

2003．9