实验报告---半导体PN结的物理特性及弱电流测量

时间:2024.4.20

成都信息工程学院

物理实验报告

姓名:    石朝阳        专业:                 班级:                学号:               

实验日期:   20##-9-15下午       实验教室:     5102-1        指导教师:                  

                                                                                            

【实验名称】PN结物理特性综合实验

【实验目的】

1. 在室温时,测量PN结电流与电压关系,证明此关系符合波耳兹曼分布规律

2. 在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数

3. 学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流

4. 测量PN结电压与温度关系,求出该PN结温度传感器的灵敏度

5. 计算在0K温度时,半导体硅材料的近似禁带宽度

【实验仪器】

半导体PN结的物理特性实验仪  资产编号:××××,型号:×××(必须填写)

【实验原理】

1.PN结的伏安特性及玻尔兹曼常数测量

PN结的正向电流-电压关系满足:

                            (1)

   当时,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:

                               (2)

也即PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。若测得PN结关系值,则利用(1)式可以求出。在测得温度后,就可以得到,把电子电量作为已知值代入,即可求得玻尔兹曼常数。实验线路如图1所示。


2、弱电流测量


LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器,用它组成电流-电压变换器(弱电流放大器),如图2所示。其中虚线框内电阻 为电流-电压变换器等效输入阻抗。

运算放大器的输入电压为:

                                 (3)

式(3)中为输入电压,为运算放大器的开环电压增益,即图2中电阻时的电压增益(称反馈电阻)。因而有:

                          (4)

由(4)式可得电流-电压变换器等效输入阻抗

                          (5)

由(3)式和(4)式可得电流-电压变换器输入电流与输出电压之间的关系式,即:

                                   (6)

只要测得输出电压和已知值,即可求得值。

3、PN结的结电压与热力学温度关系测量。

当PN结通过恒定小电流(通常),由半导体理论可得的近似关系:

                              (7)

式中为PN结温度传感器灵敏度。由可求出温度0时半导体材料的近似禁带宽度。硅材料的约为1.20

【实验内容】

(一)关系测定,并进行曲线拟合计算玻尔兹曼常数(

1、在室温情况下,测量三极管发射极与基极之间电压和相应电压的值约从范围,每隔测一相应电压的数据,至达到饱和(变化较小或基本不变)。在记录数据开始和结束时都要记录下变压器油的温度,取温度平均值

2、改变干井恒温器温度,待PN结与油温一致时,重复测量的关系数据,并与室温测得的结果进行比较。

3、曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法将实验数据代入指数函数。求出相应的值。


4、玻尔兹曼常数。利用,把电子电量作为已知值代入,求出并与玻尔兹曼常数公认值()进行比较。

(二)关系测定,计算硅材料0时近似禁带宽度值。

1、通过调节图3电路中电源电压,使上电阻两端电压保持不变,即电流。同时用电桥测量铂电阻的电阻值,得恒温器的实际温度。从室温开始每隔5℃-10℃测一组值,记录。

2、曲线拟合求经验公式:运用最小二乘法,将实验数据分别代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种常用的基本函数(它们是物理学中最常用的基本函数),然后求出衡量各回归程序好坏的标准差。对已测得的各对数据,以为自变量,作因变量,分别代入:(1)线性函数;(2)乘幂函数;(3)指数函数,求出各函数相应的值,得出三种函数式,究竟哪一种函数符合物理规律必须用标准差来检验。办法是:把实验测得的各个自变量分别代入三个基本函数,得到相应因变量的预期值,并由此求出各函数拟合的标准差:

                         

用最小二乘法对关系进行直线拟合,求出PN结测温灵敏度及近似求得温度为0时硅材料禁带宽度

【注意事项】

1.  数据处理时,对于扩散电流太小(起始状态)以及扩散电流接近或达到饱和时的数据,在处理数据时应删去,因为这些数据可能偏离公式(2)。

2.  必须观测恒温装置上温度计读数,待TIP31三极管温度处于恒定时(即处于热平衡时),才能记录数据。

3.  本实验,TIP31型三极管温度可采用的范围为0-50℃。

4.  仪器具有短路自动保护,一般情况集成电路不易损坏,但请勿将二极管保护装置拆除。

【数据记录】(数据仅供参考)

1、关系测定。         室温条件下: =25.90℃, =26.10℃,=26.00℃

2、电流I=100时,关系测定。

【数据处理】

1、曲线拟合求经验公式,计算玻尔兹曼常数:

根据要求用最小二乘法处理数据,假设PN结电流和电压的关系满足,所以先要对公式进行线性化处理。

由于U2和I是线性关系,即=A*U2,A可视为微小电流转换为电压的转换系数。首先以U2替换I,公式变化为A

两边取对数:-lnA, 

令: lnU2=y,U1=x,lnIo-lnA=,e/Kt=b

上式变化为:  

根据最小二乘法的计算公式:      (P 27页)

      

列表计算:(双击该表可见计算过程)

由此可知,相关系数r=0.99972,指数拟合的很好,也就说明PN结扩散电流-电压关系遵循指

数分布规律。计算玻尔兹曼常数,由表中数据得

则:

2、求PN结温度传感器的灵敏度S,0时硅材料禁带宽度

用作图法对数据进行处理:(图省略)所画的直线的斜率,即PN结作为温度传感器时

的灵敏度,表明PN结是负温度系数的。截距(0温度); 则电子伏特。

【实验结果】

1、测量值与公认值相当一致。

2、硅在0温度时禁带宽度公认值电子伏特,上述结果与实际大小基本吻合。由于PN结温度传感器的线性范围为-50℃--150℃,在常温时,非线性项将不可完全忽略,所以本实验测得电子伏特是合理的。

【问题讨论】

谈谈自己对本实验的体会与建议等。

禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带(能导电)。被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为1.12ev;砷化镓的禁带宽度为1.43ev。禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。


第二篇:半导体P-N结的物理特性及弱电流测量实验数据处理


半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验数据处理

半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验数据处理

e/kT=36.401lnI0Rf=-14.099r=0.99875

T=300K,波尔兹曼常数k=1.47×10-23

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