实用新型专利申请书

　　　　　　　　　　　１．格式　实用新型专利申请书
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　　实用新型　　　　　　　　　　　　　　　　　　│⑴
⑶　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　名称　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
──┬─────────────────────┤　　　　（实用新型）
⑷　│姓　名　　　　　　　　　　　　　　　　　　├───────────
　设│或名称　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　计├─────────────────────┤⑵
　人│地址　　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
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⑸　│姓名或名称　　　　　　　　　电　话
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　　│　　　　　　　　　　　　　　邮　政
　申│地　址　　　　　　　　　　　　　　□□□□□□
　请│　　　　　　　　　　　　　　编　码
　人├─────────────────────────────────
　　│国籍或总部所　　　　　　经常居所或营业所
　　│在地国家名称　　　　　　所在地国家名称
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　　│代表姓名
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⑹　│名　称　　　　　　　　　地址
　专├─────────────────────────────────
　利│专利局给出的　　　　　　　代理机构所在地区
　代│　　　　　　□□□□□　　　　　　　　　　□□□□□□
　理│代理机构代码　　　　　　　邮　政　编　码
　机├─────────────────────────────────
　构│代理人姓名　　　　　　　　登　记　号
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⑺
　□已在中国政府主办或承认的国际展览会上首次展出　　□请求费用减缓
　□已在规定的学术会议或技术会议上首次发表
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⑻申请文件清单　　　　　　　　　　　│⑼附加文件清单
　　１．请求书　　　份　每份　页　　│　□代理人委托书　　□不丧失新颖
　　２．权利要求书　份　每份　页　项│　　　　　　　　　　　性的证明文件

律师365

　　３．说明书　　　份　每份　页　　│　□要求优先权声明　□
　　４．说明书附图　份　每份　页　幅│
　　５．说明书摘要　份　每份　页　　│　□优先权证明材料　□
　　６．摘要附图　　份　每份　页　幅│
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⑽上述以外的设计人　　　│⑾上述以外的申请人　　　　│⑿申请人或代理机构
　　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　　　　　　│　签章
　　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　　　　　　│
　　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　　　　　　│　　年　月　日
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　　　　　　　　　　　　　　　　２．说明
　　（１）申请实用新型专利，应当提交实用新型专利请求书、说明书、权利要求书、说明书附图、说明书摘要和摘要附图等申请文件。
　　（２）申请文件一式两份（正副本各一份）。允许使用复印件，但申请人或代理机构签章不得复印。
　　（３）填写本表必须使用中文。外国人名、地名如无统一中文译文明应当注明原文。
　　（４）表中的“□”供填表人在填写选择性项目时使用，若有方格后所述情况，应在方格内标上“√”号。
　　（５）本表第⑴⑵两栏由专利局填写。
　　（６）本表第⑶栏“实用新型名称”应简短明确，体现该实用新型的类别。各文件中的实用新型名称应一致。
　　（７）申请人是单位的，应使用单位全称。申请人是单位又未委托代理人的，应在该单位指定一名代表联系人，填在第⑸栏“代表姓名”后面；两个以上单位共同申请的，应协商推选出一个单位作为所有申请人的代表，并在该单位指定一名代表联系人，分别填在第⑸栏“姓名或名称”及“代表姓名”后面，申请人委托代理人的，第⑸栏“代表姓名”不必填写。
　　（８）有多个设计人、申请人时，在本表第⑴、⑸栏中只填写一个，其余的分别填在第⑽、⑾栏中，本表⑿栏应由第⑸或第⑹栏中的申请人或代理机构签字或盖章。
　　（９）本表第⑹栏中代理人登记号指代理人在中国专利局的登记号。未向专利局登记的人不具有代理人资格。代理机构指定代理人时不得超过两人。
　　（１０）通讯地址应详细、准确、符合惯例，以能迅速投递为准。
　　（１１）本表各栏填写不下时，可另附与本表同样大小和质量相当的白纸续写。续写时，应注明续栏编号。
　　（１２）个人申请专利缴费有困难请求费用减缓的，应在本表第⑺栏中作出标记。申请人在请求书中未作出请求费用减缓的标记，申请日后提出费用减缓请求的，申请费不予减缓。申请人为两个或两个以上，专利局原则上不批准费用减缓请求。

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第二篇：实用新型专利申请书(集成电路)

名称：一种同时匹配的低噪声放大器

说明书摘要

本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。本实用新型首先通过一个源简并电感(Source Degeneration Inductance)串联在MOS晶体管的源极以提供串联负反馈效应，使得MOS管栅极的输入阻抗和噪声最优源阻抗满足；然后利用一个L型输入匹配网络，将MOS管的栅极匹配到信号源，从而使得本低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个L型输出匹配网络，实现MOS管的漏极与负载之间的匹配。本实用新型能够利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS管M1的适当尺寸，在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。

摘要附图

权利要求书

1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用集成电路(Integrated Circuit)工艺实现，即将有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率匹配设计。

2、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，包括：MOS晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感(Source Degeneration Inductance)连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容和电感组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另一端通过隔直电容与信号源连接；电容和电感组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与负载连接；限流电阻一端于电源相连，另一端与相连；一个电流镜电路由晶体管M2、电阻器和组成，M2的栅极和漏极相连，源极接地电位，的一端与电源Vdd相连，另一端与M2的漏极相连，的一端与M2的栅极相连，另一端连接在和的公共连接点上。

3、如权利要求2所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其中，通过利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS管M1的适当尺寸，从而在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器是接收机系统中的第一个放大器，它的主要功能就是放大接收到的信号并传输到下一级，并且自身增加的噪声应尽量小。因此要求低噪声放大器具有足够的增益，并且噪声系数要非常低。然而在进行低噪声放大器设计时，实现最小噪声系数和实现最大功率传输之间存在矛盾。请参考图1，低噪声放大器包括有源器件，以及分别用于控制输入阻抗和输出阻抗的输入匹配网络和输出匹配网络，另外包括直流偏置网络。在进行输入匹配设计时，将信号源与晶体管的输入阻抗之间进行共轭匹配，便可以获得最大功率传输，即获得最大增益；相应地，为了获得最小的噪声系数，必须将信号源匹配到晶体管的噪声最优源阻抗，便可以使放大器得到最佳的噪声性能。然而这两者通常是不相等的，设计者只能在两者之间进行权衡取舍，很难同时实现噪声匹配和功率增益匹配。

随着集成电路产业的飞速发展，单一芯片中集成的功能越来越多，晶体管数量也不断增加，随之而来的是芯片的功耗在不断增加。尽管我们不断降低芯片的工作电压，不断改进工艺，不断使用各种方法降低芯片的功耗，但功耗仍然是当今集成电路设计中最令工程师头痛的问题之一。在低噪声放大器中同样存在低功耗问题，如何实现低功耗设计是目前的研究热点，特别是在功耗约束条件下实现最小噪声系数和最大功率传输的同时匹配。

发明内容

本实用新型的目的是要提供一种应用在集成电路设计中的低噪声放大器，并且可以在输入级实现最小噪声系数和最大增益传输的同时匹配；而且本实用新型能够在功耗约束条件下实现输入级的同时匹配。

本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其电路结构包括：MOS晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感(Source Degeneration Inductance)连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容和电感组成一个L型输入匹配网络，其中一端与MOS管栅极相连，另一端通过隔直电容与信号源连接；电容和电感组成一个L型输出匹配网络，其中一端与MOS管漏极相连，另一端与负载连接；限流电阻一端于电源相连，另一端与相连；一个电流镜电路由晶体管M2、电阻器和组成，M2的栅极和漏极相连，源极接地电位，的一端与电源相连，另一端与M2的漏极相连，的一端与M2的栅极相连，另一端连接在和的公共连接点上。

本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其中通过利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS管M1的适当尺寸，从而在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入级的同时匹配。

本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其优点在于：

⑴本实用新型提出的低噪声放大器在输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数，而且实现了功率的最大传输。

⑵本实用新型通过合理地选择晶体管的形状和尺寸，可以在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入级的同时匹配。

⑶本实用新型提出的设计方法简单，能够被设计者很容易的掌握并应用在集成电路设计中。

附图说明

图1为常规的放大器设计原理图。

图2为本实用新型的一种同时匹配低噪声放大器的一个示例性实施例的电路图。

具体实施方式

虽然在本例中将参照MOS晶体管工艺描述本实用新型的低噪声放大器，但是可以很容易理解，所述原理可以用于各种Ⅲ～Ⅴ族双极性晶体管和场效应晶体管工艺中。

图2图解说明本实用新型的一个实施例。它包括一个MOS晶体管M1，并按照其共源组态相连接。由功耗约束噪声优化技术可知，当在功耗约束条件下进行设计时，晶体管的尺寸由下面公式所决定：

                       （1）

其中是本实用新型的低噪声放大器的工作频率，代表栅极单位电容，是信号源电阻值。关于功耗约束噪声优化技术，请参阅“The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits”，Thomas H.Lee，第二版，Cambridge Press, 2004。

源简并电感连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭。

                            (2)

本实施例还包括一个由电感器和电容器构成的L型输入匹配网络，用于将MOS晶体管栅极的输入阻抗匹配到信号源阻抗，便可以实现本实用新型的低噪声放大器在输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配。另外还包括由电感器和电容器构成的L型输出匹配网络，用于实现输出匹配。本发明的实施例为了简单起见，以L型输入输出匹配网络为例，但是不难理解，所述原理可以用T型、π型或者多级匹配网络来实现，同时具体级数和拓扑结构也会随工作频率和设计要求的不同而不同。

本实施例另外包括一个电流镜电路，由晶体管M2、电阻器和、隔直电容器组成。晶体管M2与M1形成一个电流镜，且通过M2的电流是由电源电压和以及M2的栅源电压所决定。应选择的足够大，使得它的等效电流噪声小到足以被忽略。为了完成偏置，还必须有一个隔直电容器来防止影响M1的栅-源偏置。为了保护有源器件，限流电阻连接在电源和之间。

虽然以上描述的示例性LNA只包括一级放大器，但是将会注意到本实用新型的设计方法能够应用到含有任意数目的放大器级的LNA，本领域的技术人员同样也应该理解本实例的放大器件部分也可以为串迭（cascode）结构的放大电路模块。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。

说明书附图

图1

图2