实验报告
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一、实验目的
1、加深对差动放大器性能及特点的理解
2、学习差动放大器主要性能指标的测试方法
二、实验原理
图5-1是差动放大器的基本结构。 它由两个元件参数相同的基本共射放大电路组成。当开关K拨向左边时,构成典型的差动放大器。调零电位器RP用来调节T1、T2管的静态工作点,使得输入信号Ui=0时,双端输出电压UO=0。RE为两管共用的发射极电阻, 它对差模信号无负反馈作用,因而不影响差模电压放大倍数,但对共模信号有较强的负反馈作用,故可以有效地抑制零漂,稳定静态工作点。
图5-1 差动放大器实验电路
当开关K拨向右边时,构成具有恒流源的差动放大器。 它用晶体管恒流源代替发射极电阻RE,可以进一步提高差动放大器抑制共模信号的能力。
1、静态工作点的估算
典型电路
(认为UB1=UB2≈0)
恒流源电路
2、差模电压放大倍数和共模电压放大倍数
当差动放大器的射极电阻RE足够大,或采用恒流源电路时,差模电压放大倍数Ad由输出端方式决定,而与输入方式无关。
双端输出: RE=∞,RP在中心位置时,
单端输出
当输入共模信号时,若为单端输出,则有
若为双端输出,在理想情况下
实际上由于元件不可能完全对称,因此AC也不会绝对等于零。
3、 共模抑制比CMRR
为了表征差动放大器对有用信号(差模信号)的放大作用和对共模信号的抑制能力,通常用一个综合指标来衡量,即共模抑制比
或
差动放大器的输入信号可采用直流信号也可采用交流信号。本实验由函数信号发生器提供频率f=1KHZ的正弦信号作为输入信号。
三、实验设备与器件
1、±12V直流电源 2、函数信号发生器
3、双踪示波器 4、交流毫伏表
5、直流电压表
6、晶体三极管3DG6×3,要求T1、T2管特性参数一致。
(或9011×3)。
电阻器、电容器若干。
四、实验内容
1、典型差动放大器性能测试
按图5-1连接实验电路,开关K拨向左边构成典型差动放大器。
1) 测量静态工作点
①调节放大器零点
信号源不接入。将放大器输入端A、B与地短接,接通±12V直流电源,用直流电压表测量输出电压UO,调节调零电位器RP,使UO=0。 调节要仔细,力求准确。
②测量静态工作点
零点调好以后,用直流电压表测量T1、T2管各电极电位及射极电阻RE两端电压URE,记入表5-1。
表5-1
2) 测量差模电压放大倍数
断开直流电源,将函数信号发生器的输出端接放大器输入A端,地端接放大器输入B端构成单端输入方式,调节输入信号为频率f=1KHz的正弦信号,并使输出旋钮旋至零, 用示波器监视输出端(集电极C1或C2与地之间)。
接通±12V直流电源,逐渐增大输入电压Ui(约100mV),在输出波形无失真的情况下,用交流毫伏表测 Ui,UC1,UC2,记入表5-2中,并观察ui,uC1,uC2之间的相位关系及URE随Ui改变而变化的情况。
3) 测量共模电压放大倍数
将放大器A、B短接,信号源接A端与地之间,构成共模输入方式, 调节输入信号f=1kHz,Ui=1V,在输出电压无失真的情况下,测量UC1, UC2之值记入表5-2,并观察ui, uC1, uC2之间的相位关系及URE随Ui改变而变化的情况。
表5-2
2、具有恒流源的差动放大电路性能测试
将图5-1电路中开关K拨向右边,构成具有恒流源的差动放大电路。重复内容1-2)、1-3)的要求,记入表5-2。
五、实验总结
1、 整理实验数据,列表比较实验结果和理论估算值,分析误差原因。
1) 静态工作点和差模电压放大倍数。
在差分放大电路中 ,电路的偏置电阻、晶体管 (BJT)的参数、信号源的内阻、工作温度都会引起输出的误差 .由于前置及高增益 ,差分放大器的误差和零漂会造成整个电路的误差加大。
2) 典型差动放大电路单端输出时CMRR的实测值与具有恒流源的差动放大器CMRR实测值比较。
实验仪器的误差,信号的输出与示波器所测的都有误差;实验板可能用久了,那些板上的器件有损耗;万能表的误差;温度变化引起的零点漂移.还有就是一些实验过程中的操作不对。
2、 比较ui,uC1和uC2之间的相位关系。
Ui和Uc1 Ui和Uc2的相位都是相反的。Uc1和Uc2的相位相同
3、 根据实验结果,总结电阻RE和恒流源的作用。
RE为两管共用的发射极电阻,对共模信号有较强的负反馈作用,可以有效地抑制零漂,稳定静态工作点。恒流源进一步提高差动放大器抑制共模信号的能力。
第二篇:实验四、差分放大器设计
实验四、差分放大器设计
一.实验目的
1.掌握差分放大器的设计方法。
2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。
二.预习要求
1.根据指标要求,设计并计算电路的有关参数。
2.画出所设计的电路,列出元件的值。
3.制定出实验方案,选择实验用的仪器设备。
4.写出预习报告
三.差分放大器的设计方法
1.确定放大电路(选择场效应管)。
2.手工计算场效应管的直流转移特性曲线,并将特性曲线描绘在方格纸上,在曲线上 确定出MOS管的饱和区,确定输入电压、输出电压的范围。
3.确定静态工作点Q:(VImin+VImax)/2
4.确定电路中的其他参数的值。
四.电路的设计要点:
1. 电路图设计参见附录。
2.调整静态工作点:可修改场效应管的w和电阻值。
3.动态调试:从放大器的输入端输入f=1kHz,Ui=100mV的正弦信号(加直流偏置,静态工作点Q)。若放大器的输出波形顶部或底部出现明显失真,说明静态工作点没有设置在恰当的位置,应调整电路使输出波形无明显失真。若顶部和底部同时出现失真,说明静态工作点选择恰当。此时应减小输入信号幅度,使输出波形不失真。
4.测量Au及Δf。
5. 对测量结果进行验算并进行误差分析
(1) 列出静态工作点的测量值
(2) 性能指标的测量值
(3) 根据调整后的电路参数,列出理论计算值。
(4) 将理论计算值与测量值进行比较算出它们的相对误差
五.实验内容
1.按以下指标要求,设计一个差分放大器。
1)电压放大倍数Au≥100
2)负载电阻 RL=10kΩ
3)下限频率fL≤20Hz,上限频率fH ≥200kHz
2.对所设计的电路进行设计、调试。
3.对电路的性能指标进行测试仿真,并对测量结果进行验算和误差分析。
六.实验报告要求
实验报告包括以下内容:
1.项目名称
2.已知条件和指标要求
3.所需的软件仿真语句
4.电路的设计过程,所选用的电路原理图。
5.调试过程,标有经调试后所采用的元件数值的电路图。
6.主要技术指标的计算值、仿真值
7.数据处理及误差分析
8.电路的改进建议和实验中的体会
附录:
1. 所需的软件仿真语句
.include .op .dc .print .tran
.ac DEC 5 1 100MEG 交流仿真语句 .print ac vdb(out) vm(out) 交流输出语句
2. 需要设计的电路图
PMOS负载的NMOS驱动差分电路
自行绘制电阻负载的NMOS驱动差分电路
以下文件与数据仅供参考,但均经过仿真测试,实际使用注意.include路径并加负载电容
一、共模电压扫描
* Main circuit: opamp
ccomp out Gnd 2pF
mn1 vn1 vbias Gnd Gnd nmos L=10u W=6u
mn2 vm1 in1 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
mn3 out in1 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u .
mp1 vm1 vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
mp2 out vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
include ml2_125.md
* End of main circuit: opamp
vbias vbias Gnd 0.8
Vdd Vdd Gnd 5.0
vin1 in1 Gnd 2.5
.dc vin1 0 5 0.1
.print dc in1 out
二、小信号分析
* Main circuit: opamp
ccomp out Gnd 2pF
mn1 vn1 vbias Gnd Gnd nmos L=10u W=6u
mn2 vm1 in1 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
mn3 out in2 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
.include ml2_125.md
mp1 vm1 vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
mp2 out vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
vbias vbias Gnd 0.8
Vdd Vdd Gnd 5.0
vin2 in2 in1 1
vin1 in1 Gnd 2.5
.dc vin2 -2.5 2.5 0.02
.print dc out
* End of main circuit: opamp
三、动态调整
* Main circuit: opamp
ccomp out Gnd 2pF
mn1 vn1 vbias Gnd Gnd nmos L=10u W=6u
mn2 vm1 in1 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
mn3 out in2 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
.include ml2_125.md
mp1 vm1 vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
mp2 out vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
vbias vbias Gnd 0.8
Vdd Vdd Gnd 5.0
vdiff in2 in1 sin 0 0.015 1000 0.0 0.0 0.0
vin1 in1 Gnd 2.5
.tran 10u 5m
.print tran out v(in2,in1)
* End of main circuit: opamp
四、增益仿真
* Main circuit: opamp
.ac DEC 5 1 100MEG
.acmodel opamp1m.out {*}
ccomp out Gnd 2pF
mn1 vn1 vbias Gnd Gnd nmos L=10u W=6u
mn2 vm1 in1 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
mn3 out in2 vn1 Gnd nmos L=6u W=6u
.include ml2_125.md
mp1 vm1 vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
mp2 out vm1 Vdd Vdd pmos L=6u W=6u
.print ac vdb(out) vp(out)
vbias vbias Gnd 0.8
Vdd Vdd Gnd 5.0
vdiff in2 in1 -0.0007 AC 1.0 90
vin1 in1 Gnd 2.0
* End of main circuit: opamp
* T-Spice 10.10 Simulation Tue Jun 05 08:53:12 2007 C:\Program
EDA\S-Edit\tutorial\schematic\opamp.sp
* Command line: tspice -o "C:\Program Files\Tanner EDA\S-Edit\tutorial\schematic\opamp.out" "C:\Program Files\Tanner EDA\S-Edit\tutorial\schematic\opamp.sp"
* T-Spice Win32 10.10.20050307.17:21:35
* Operating System: Windows XP 5.1 2600 Service Pack 2
*SEDIT: probesdbfile="C:\Program Files\Tanner EDA\S-Edit\tutorial\schematic\opamps41.sdb" *SEDIT: probetopmodule="opamp"
*SEDIT: Alter blocks = 0
* Probing options:
* probefilename = opamps41.dat
* probesdbname = C:\Program Files\Tanner EDA\S-Edit\tutorial\schematic\opamps41.sdb * probetopmodule = opamp
*
* Device and node counts:
* MOSFETs - 5 MOSFET geometries - 3
* BJTs - 0 JFETs - 0
* MESFETs - 0 Diodes - 0
* Capacitors - 1 Resistors - 0
* Inductors - 0 Mutual inductors - 0
* Transmission lines - 0 Coupled transmission lines - 0 Files\Tanner
* Voltage sources - 4 Current sources - 0
* VCVS - 0 VCCS - 0 * CCVS - 0 CCCS - 0 * V-control switch - 0 I-control switch - 0
* Macro devices - 0 External C model instances - 0
* Subcircuits - 0 Subcircuit instances - 0
* Independent nodes - 3 Boundary nodes - 5
* Total nodes - 8
* *** 10 WARNING MESSAGES GENERATED DURING SETUP
*SEDIT: Alter=0
*SEDIT: Analysis types DCOP 0 ACMODEL 0 AC 0 TRANSIENT 0 TRANSFER 0 NOISE 0 * BEGIN NON-GRAPHICAL DATA
AC SMALL-SIGNAL MODELS - temperature=25.0
0 1 2 3
mn1 mn2 mn3 mp1 MODEL nmos nmos nmos pmos
TYPE NMOS NMOS NMOS PMOS REGION Saturation Cutoff Cutoff Saturation
ID 439.46886n 220.00758n 219.45594n -220.01424n
IBS 0. -10.51431f -10.51431f 0.
IBD -10.51431f -42.26207f -42.96842f -7.73793f
VGS 800.00000m 948.56933m 947.86933m -773.79316m VDS 1.05143 3.17478 3.24541 -773.79316m
VBS 0. -1.05143 -1.05143 0.
VTH 613.26877m 1.11014 1.10992 -623.15079m VDSAT 122.93287m 122.57063m 122.57735m -107.43885m RS 0. 0. 0. 0.
RD 0. 0. 0. 0.
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GMB 1.19979u 338.60769n 337.70540n 573.32454n GBD 10.00000f 10.00000f 10.00000f 10.00000f
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CDTOT 1.73400f 1.73400f 1.73400f 2.01000f
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4
mp2
MODEL pmos
TYPE PMOS
REGION Saturation
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* VOLTAGE SOURCES
5 6 7 8 vbias Vdd vdiff vin1 VOLTAGE 800.00000m 5.00000 -700.00000u 2.00000 CURRENT 0. -439.47855n 0. 0. POWER 0. -2.19739u 0. 0. Element name cross-reference:
0 : mn1
1 : mn2
2 : mn3
3 : mp1
4 : mp2
5 : vbias
6 : Vdd
7 : vdiff
8 : vin1
* END NON-GRAPHICAL DATA