附件a-2

博士生在国外期间研究计划（中英文对照）要求

需包括以下内容：

（1）研究课题名称；

（2）拟出国起止时间；

（3）研究课题背景介绍及国内准备工作概述；

（4）在国外期间的学习与研究工作具体安排及预期成果、收获；

（5）出国学习和研究工作内容与个人博士培养计划的关系；

（6）回国后的工作安排及计划；

（7）中文版研修计划国内导师签字原件；英文版研究计划双方导师签字复印件即可；

（8）字数不少于1000字；

第二篇：国外IC厂商中英文对照

A INTECH（美国英特奇公司） A- INTECH（美国英特奇公司）

AC TEXAS INSTRUMENTS[T1] （美国德克萨斯仪器公司） AD ANALOG DEVICES （美国模拟器件公司）

AM ADVANCED MICRO DEVICES （美国先进微电子器件公司） AM DATA-INTERSIL （美国戴特-英特锡尔公司 AN PANASONIC（日本松下电器公司）

AY GENGERAL INSTRUMENTS[G1]（美国通用仪器公司） BA ROHM （日本东洋电具制作所）（日本罗姆公司） BX SONY（日本索尼公司） CA RCA（美国无线电公司） CA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） CA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） CAW RCA（美国无线电公司） CD FAIRCHILD（美国仙童公司） CD RCA（美国无线电公司） CIC

CM SOLITRON（美国索利特罗器件公司）

CS CHERRY SEMICONDUCTOR（美国切瑞半导体器件公司） CT PLESSEY（英国普利西半导体公司） CX SONY（日本索尼公司） CXA SONY（日本索尼公司） CXD SONY（日本索尼公司） CXK SONY（日本索尼公司） DBL DAEWOO（韩国大宇电子公司） DN PANASONIC（日本松下电器公司） D…C AECO（日本阿伊阔公司）

EA GTE（美国通用电话电子公司微电路部） EEA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） EF THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） EFB THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） EGC PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

ESM THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） F

FAIRCHILD（美国仙童公司）

A100 A-99 AC5944 AD7118 AM626 AM4902A AN5132 AY3-8118 BA328 BX1303 CA3123 CA3046 CA3089 CAW8033 CD74N00 CD4081BE

CM4001AD CS263 CT1010 CX108 CXA1034 CXD1050A CXK1202S DBL1047 DN74LS73P D4C EA3178 EEA5550 FF4443 EFB7510 EGC1237 ESM523 F4001

FCM FAIRCHILD（美国仙童公司） G GTE（美国微电路公司）

GD GOLD STAR[韩国金星（高尔达）电子公司] GL GOLD STAR[韩国金星（高尔达）电子公司] GM GOLD STAR[韩国金星（高尔达）电子公司] HA HITACHI（日本日立公司） HD HITACHI（日本日立公司） HEF PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） HM HITACHI（日本日立公司） HZ

ICL INTERSIL（美国英特锡尔公司） IG

IR SHARP[日本夏普（声宝）公司] IX

ITT ITT（德国ITT半导体公司） JU

KA SAMSUNG（韩国三星电子公司） KB

KC SONY（日本索尼公司）

KDA SAMSUNG（韩国三星电子公司） KIA KEC（韩国电子公司） KID

KM SAMSUNG（韩国三星电子公司） KS SAMSUNG（韩国三星电子公司）

L SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司）L SANYO（日本三洋电气公司） LA SANYO（日本三洋电气公司） LB SANYO（日本三洋电气公司） LC SANYO（日本三洋电气公司）

LC GENERAL INSTRUMENTS（GI）（美国通用仪器公司） LF PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

LF NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） LH NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） LH SHARP[日本夏普（声宝）公司] LM

SANYO（日本三洋电气公司）

FCM7040 G157 GD4001B GL1130 GM3043 HA1361 HD74LS02

HEF4001 HM742114AP

ICL8063C IR9393 ITT3064 KA2101 KC583 KDA0313 KIA6268P

KM7245P KS5806 L7805ACV LA4102 LB1405 LC4001B LC1352P LF198 LF357T LH2108A LH5003 LM8523

LM NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） LM SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） LM FAIRCHILD（美国仙童公司）

LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） LM PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

LM MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） LM SAMSUNG（韩国三星电子公司）

LP NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） LR SHARP[日本夏普（声宝）公司] LSC

M SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） M MITSUBISHI（日本三菱电机公司） MA ANALOG SYSTEMS（美国模拟系统公司） MB FUJITSU（日本富士通公司） MBM FUJITSU（日本富士通公司）

MC MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） MC PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

MC ANALOG SYSTEMS（美国模拟系统公司） MF MITSUBISHI（日本三菱电机公司） MK MOSTEK（美国莫斯特卡公司） ML PLESSEY（英国普利西半导体公司）

ML MITEL SEMICONDUCTOR（美国国家半导体公司） MLM MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体公司）

MM NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） MN PANASONIC（日本松下电器公司） MN MICRO NETWORK（美国微网路公司）

MP MICRO POWER SYSTEMS（美国微功耗系统公司） MPS MICRO POWER SYSTEMS（美国微功耗系统公司） MSM OKI（美国OKI半导体公司） MSM OKI（日本冲电气有限公司） N SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） NA

NC NITRON（美国NITRON公司） NE SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） NE

PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

LM1800A LM387 LM1014A LM317 LM2904 LM833 LM386 LP63J LR40992 M192 M51393P MA106 MB74LS00P MBM100470 MC13007 MC3303 MC114 MF1071 MK4116 ML231B ML8804 MLM301AG MM5430 MN3207 MH3000HB MP5071 MPS5003 MSM5525 MSM4001RS N74LS123 NC33 NE540 NE541PHA

NE MULLARD（英国麦拉迪公司）

NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） NJM NEW JAPAN RADIO（JRC）（新日本无线电公司） OM PANASONIC（日本松下电器公司） OM SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） PA QG

RC RAYTHEON（美国雷声公司） RM RAYTHEON（美国雷声公司） RH-IX SHARP[日本夏普（声宝）公司] S SIEMENS（德国西门子公司）

S AMERICAN MICROSYSTEMS（美国微系统公司） SA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SAA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SAA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

SAA GENERAL INSTRUMENTS（GI）（美国通用仪器公司） SAA ITT（德国ITT-半导体公司） SAB SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SAB AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） SAF SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SAK PHILIPS（荷兰菲利浦公司） SAS HITACHI（日本日立公司）

SAS AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） SAS SIEMENS（德国西门子公司） SDA SIEMENS（德国西门子公司） SC SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SE SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SE PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SFC

SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司） SG MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） SG PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SH FAIRCHILD（美国仙童公司） SI SANKEN（日本三肯电子公司） SK

RCA（美国无线电公司）

SAK150BT SAS560 SAS6600 SAS5800 SDA5680 SE540 SE5560 SG3731 SG3524 SG2524G SH741 SI-1030 SK9199

NE541PHA NE555 NJM387 OM200 OM200

RC4194TK RM5015 RH-IX0212CE S572 S2743 SA532 SAA1045 SAA1070 SAA1025-01 SAA1173 SAB2024 SAB2010 SAF1032

SL PLESSEY（英国普利西半导体公司）

SN MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司）

SN TEXAS INSTRUMENTS（TI）（美国德克萨斯仪器公司） SND SSS（美国固体科学公司） SO SIEMENS（德国西门子公司） SP PLESSEY（英国普利西半导体公司） STK SANYO（日本三洋电气公司） STR SANKEN（日本三肯电子公司） SW PLESSEY（英国普利西半导体公司） T TOSHIBA（日本东芝公司）

T GENERAL INSTRUMENTS（GI）（美国通用仪器公司） TA TOSHIBA（日本东芝公司） TAA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） TAA SIEMENS（德国西门子公司）

TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司）TAA PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） TAA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） TAA PLESSEY（英国普利西半导体公司） TAA MULLARD（英国麦拉迪公司） TBA FAIRCHILD（美国仙童公司） TBA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司）TBA HITACHI（日本日立公司） TBA NEC EIECTRON（日本电气公司） TBA ITT（德ITT半导体公司）

TBA AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） TBA PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） TBA SIEMENS（德国西门子公司） TBA PLESSEY（英国普利西半导体公司）

TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） TBA THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） TBA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） TBA MULLARD（英国麦拉迪公司） TC TOSHIBA（日本东芝公司） TCA

ITT（德国ITT半导体公司）

SL624C SN75172 SN76635 SND5027 SO41E SP8735P STK040A STR4090A SW450 T1400 T1102 TA7628 TAA370 TAA991D TAA611 TAA630 TAA630S TAA570 TAA570 TBA641 TBA700 TBA800 TBA810 TBA810S TBA940 TBA540 TBA810 TBA120SA TBA750 TBA970 TBA790NSD TBA570A TBA530 TC9121 TCA270S

TCA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

TCA SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） TCA MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） TCA PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） TCA PLESSEY（英国普利西半导体公司）

TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） TCA MULLARD（英国麦拉迪公司） TCA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

TCA AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） TCA SIEMENS（德国西门子公司）

TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI]（美国德克萨斯仪器公司） TD

TDA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

TDA SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） TDA MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） TDA PRO ELECTRON（欧洲电子联盟）

TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） TDA PLESSEY（英国普利西半导体公司） TDA SIEMENS（德国西门子公司） TDA NEC ELECTRON（日本电气公司） TDA AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） TDA ITT（德国ITT半导体公司） TDA HITACHI（日本日立公司）

TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） TDA PROELECTRON（欧洲电子联盟） TDA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） TDA RCA（美国无线电公司） TDA MULLARD（英国麦拉迪公司）

TDA THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） TDB THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司）

TDC TRW LSI PRODUCTS（美国TRW大规模集成电路公司） TEA THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） TEA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） TEK

TBA

SIEMENS（德国西门子公司）

TCA770 TCA3089 TCA4500 TCA440 TCA800 TCA3189 TCA770SQ TCA750Q TCA270 TCA440 TCM2912B

TDA1580 TDA1051 TDA3090P TDA1440 TDA2590 TDA2560 TDA1048 TDA1051 TDA1083 TDA1950 TDA2002 TDA1910 TDA1000 TDA4500 TDA1170A TDA1051 TDA2540 TDC010 TEA5620 TEA2026T

TBA120SA

TBA PLESSEY（英国普利西半导体公司）

TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） TBA THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） TBA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） TBA MULLARD（英国麦拉迪公司） TC TOSHIBA（日本东芝公司） TCA ITT（德国ITT半导体公司） TCA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

TCA SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） TCA MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） TCA PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） TCA PLESSEY（英国普利西半导体公司）

TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司）TCA MULLARD（英国麦拉迪公司） TCA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

TCA AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） TCA SIEMENS（德国西门子公司）

TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI]（美国德克萨斯仪器公司） TD

TDA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

TDA SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） TDA MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） TDA PRO ELECTRON（欧洲电子联盟）

TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） TDA PLESSEY（英国普利西半导体公司） TDA SIEMENS（德国西门子公司） TDA NEC ELECTRON（日本电气公司） TDA AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） TDA ITT（德国ITT半导体公司） TDA HITACHI（日本日立公司）

TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司）TDA PROELECTRON（欧洲电子联盟） TDA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） TDA RCA（美国无线电公司） TDA

MULLARD（英国麦拉迪公司）

TBA750 TBA970 TBA790NSD TBA570A TBA530 TC9121 TCA270S TCA770 TCA3089 TCA4500 TCA440 TCA800 TCA3189 TCA770SQ TCA750Q TCA270 TCA440 TCM2912B

TDA1580 TDA1051 TDA3090P TDA1440 TDA2590 TDA2560 TDA1048 TDA1051 TDA1083 TDA1950 TDA2002 TDA1910 TDA1000 TDA4500 TDA1170A TDA1051

TDA THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） TDB THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司）

TDC TRW LSI PRODUCTS（美国TRW大规模集成电路公司） TEA THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） TEA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司）

TL TEXAS INSTRUMENTS（TI）（美国德克萨斯仪器公司） TL MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） TM TOSHIBA（日本东芝公司） TMM TOSHIBA（日本东芝公司）

TMS TEXAS INSTRUMENTS（TI）（美国德克萨斯仪器公司） TOB

TP TEXAS INSTRUMENTS（TI）（美国德克萨斯仪器公司） TP NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） TPA SIEMENS（德国西门子公司） TRY

TUA SIEMENS（德国西门子公司） TVCM

U AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） UDN

UAA SIEMENS（德国西门子公司） UC SOLITRON（美国索利特罗器件公司）

ULN SPRAGUE EIECTRIC（美国史普拉格电子公司） ULN SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司）

ULN MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） ULS SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） ULX SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） WS

XR EXAR INTEGRATED SYSTEMS（美国埃克萨集成系统公司）YM YAMAHA（日本雅马哈公司） YS ZTK

Μa MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） μA SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） μA PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） μA

FAIRCHILD（美国仙童公司）

TDA2540 TDC010 TEA5620 TEA2026T TL489 TL061 TM4503 TMM841P TMS1976 TP4011B TP4011B TPA1047

TUA1000 U416 UAA190 UC558 ULN2204A ULN2209 ULN2001A ULS2741D ULX2840A XR4739 YM7121B μA7584 μA758 μA741CD μA1310PC

μAA

μPA

μPB

μPC

μPD

μPD THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） NEC ELECTRON（日本电气公司） NEC ELECTRON（日本电气公司） NEC ELECTRON（日本电气公司） NEC ELECTRON（日本电气公司） NEC-MIRO（美国 NEC电子公司微电脑分部） μAA4000 μPA53C μPB8286 μPC1018C μPD4016D μPD416D