实验七光电池的光电特性及伏安特性
一、实验目的
1、了解硅光电池的光照特性,即短路电流及开路电压与光照的关系。
2、了解光电池在照度一定得情况下,它的输出电流与电压随负载变化的关系。
二、实验原理
PN结的形成及单向导电性
采用反型工艺在一块N型(P型)半导体的局部掺入浓度较大的三价(五价)杂质,使其变为P型(N型)半导体。如果采用特殊工艺措施,使一块硅片的一边为P型半导体,另一边为N型半导体则在P型半导体和N型半导体的交界面附近形成PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础,许多半导体器件都含有PN结。如图1所示,Θ代表得到一个电子的三价杂质(例如硼)离子,带负电;代表失去一个电子的五价杂质(例如磷)离子,带正电。由于P区有大量空穴(浓度大),而N区的空穴极少(浓度小),即P区的空穴浓度远远高于N区,因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散,并与N区的电子复合,在交界面附近的空穴扩散到N区,在交界面附近一侧的P区留下一些带负电的三价杂质离子,形成负空间电荷区。同样,N区的自由电子也要向P区扩散,并与P区的空穴复合,在交界面附近一侧的N区留下一些带正电的五价杂质离子,形成正空间电荷区。这些离子是不能移动的,因而在P型半导体和N型半导体交界面两侧形成一层很薄的空间电荷区,也称为耗尽层,这个空间电荷区就是PN结。
形成空间电荷区的正负离子虽然带电,但是它们不能移动,不参与导电。而在这个区域
内,载流子极少,所以空间电荷区的电阻率很高。此外,这个区域内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,所以空间电荷区有时称为耗尽层。
正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场,成为内电场,其方向从带正电的N区指向带负电的P区,如图1所示。由P区向N区扩散的空穴在空间电荷区将受到内电场的阻力,而由N区向P区扩散的自由电子也将受到内电场的阻力,即内电场对多数载流子(P区的空穴和N区的自由电子)的扩散运动起阻挡作用,所以空间电荷区又称为阻挡层。
…… …… 余下全文